市场规模
半导体产业稳定增长，半导体产业向转移。据WSTS和SIA统计数据，2016年半导体市场规模为1659.0亿美元，增速达9.2%，大于增长速度（1.1%）。2016年半导体制造用光刻胶市场规模为19.55亿元，其配套材料市场规模为20.24亿元。预计2017和2018年半导体制造用光刻胶市场规模将分别达到19.76亿元和23.15亿元，其配
PR1 1500A1光刻胶公司
市场规模
半导体产业稳定增长，半导体产业向转移。据WSTS和SIA统计数据，2016年半导体市场规模为1659.0亿美元，增速达9.2%，大于增长速度（1.1%）。2016年半导体制造用光刻胶市场规模为19.55亿元，其配套材料市场规模为20.24亿元。预计2017和2018年半导体制造用光刻胶市场规模将分别达到19.76亿元和23.15亿元，其配套材料市场规模将分别达到22.64亿元和29.36亿元。同种厚度的正负胶，在对于抗湿法和腐蚀性方面负胶更胜一筹，正胶难以企及。在28nm生产线产能尚未得到释放之前，ArF光刻胶仍是市场主流半导体应用广泛，需求增长持续性强。近些年来，半导体厂商在大陆投设多家工厂，如台积电南京厂、联电厦门厂、英特尔大连厂、三星电子西安厂、力晶合肥厂等。诸多半导体工厂的设立，也拉动了国内半导体光刻胶市场需求增长。
政策扶持
为促进我国光刻胶产业的发展，02重大专项给予了大力支持。今年5月，02重大专项实施管理办公室组织任务验收组、财务验收组通过了“极紫外光刻胶材料与实验室检测技术研究”项目的任务验收和财务验收。
据悉，经过项目组全体成员的努力攻关，完成了EUV光刻胶关键材料的设计、制备和合成工艺研究、配方组成和光刻胶制备、实验室光刻胶性能的初步评价装备的研发，达到了任务书中规定的材料和装备的考核指标。项目共申请发明15项（包括国际5项），截止到目前，共获得授权10项（包括国际授权3项）。按照曝光波长分类，光刻胶可分为紫外光刻胶（300~450nm）、深紫外光刻胶（160~280nm）、极紫外光刻胶（EUV，13。
光刻工艺主要性一
光刻胶不仅具有纯度要求高、工艺复杂等特征，还需要相应光刻机与之配对调试。一般情况下，一个芯片在制造过程中需要进行10~50道光刻过程，由于基板不同、分辨率要求不同、蚀刻方式不同等，不同的光刻过程对光刻胶的具体要求也不一样，即使类似的光刻过程，不同的厂商也会有不同的要求。属固含量（%）：31-35主要溶剂：外观：浅液体涂敷能：均匀的无条纹涂敷100摄氏度热板烘烤300秒后膜厚涂敷自旋速度40秒自旋。
针对不同应用需求，光刻胶的品种非常多，这些差异主要通过调整光刻胶的配方来实现。因此，通过调整光刻胶的配方，满足差异化的应用需求，是光刻胶制造商核心的技术。
此外，由于光刻加工分辨率直接关系到芯片特征尺寸大小，而光刻胶的性能关系到光刻分辨率的大小。限制光刻分辨率的是光的干涉和衍射效应。光刻分辨率与曝光波长、数值孔径和工艺系数相关。
NR77-25000P,RD8
产地
型号
厚度
曝光
应用
加工
特性
Futurrex
美国
NR71-1000PY
0.7μm~2.1μm
高温耐受
用于i线曝光的负胶
LEDOLED、
显示器、
MEMS、
封装、
生物芯片等
金属和介电
质上图案化，
不必使用RIE
加工器件的永
组成
（OLED显示
器上的间隔
区）凸点、
互连、空中
连接微通道
显影时形成光刻胶倒
梯形结构
厚度范围：
0.5～20.0 μm
i、g和h线曝光波长
对生产效率的影响：
金属和介电质图案化
时省去干法刻蚀加工
不需要双层胶技术
NR71-1500PY
1.3μm~3.1μm
NR71-3000PY
2.8μm～6.3μm
NR71-6000PY
5.7μm~12.2μm
NR9-100PY
粘度增强
NR9-1500PY
NR9-3000PY
2.8μm~6.3μm
NR9-6000PY
NR71G-1000PY
负胶对 g、h线波长的灵敏度
NR71G-1500PY
NR71G-3000PY
NR71G-6000PY
NR9G-100PY
0.7μm～2.1μm
NR9G-1500PY
1.3μm～3.1μm
NR9G-3000PY
NR9G-6000PY
耐热温度
PR1-500A
0.4μm～0.9μm
（作者： 来源：）
