二次电子是相对于入射电子的一种提法二次电子是相对于入射电子的一种提法。它是指被高能入射（也称为一次或初次）电子束轰击出来的试样中的核外电子。由于原子核和外层价电子间的结合能很小，当原子的核外电子从入射电子那里获得大于相应的结合能后，就可脱离原子核的约束而成为自由电子。如果这种脱离过程发生在试样表面和亚表面层，那么这些能量大于材料逸出功的电子就可以从试样表面逸出，就成为二次电
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二次电子是相对于入射电子的一种提法
二次电子是相对于入射电子的一种提法。它是指被高能入射（也称为一次或初次）电子束轰击出来的试样中的核外电子。由于原子核和外层价电子间的结合能很小，当原子的核外电子从入射电子那里获得大于相应的结合能后，就可脱离原子核的约束而成为自由电子。如果这种脱离过程发生在试样表面和亚表面层，那么这些能量大于材料逸出功的电子就可以从试样表面逸出，就成为二次电子。
背散射电子像具有下列基本性质和特点
背散射电子像具有下列基本性质和特点：
（1）其成像信息主要来自于返回试样表面的原一次电子，大部分电子的能量基本接近于原入射电子的能量。
（2）由于入射电子在试样中产生背散射电子的区域比二次电子的区域深、范围大，故背散射电子像的几何分辨力远不如二次电子像，对于中等或以上元素的分辨力与二次像相比约差2.5倍以上。
（3）由于背散射电子的能量较大，故其出射方向基本不受试样表面弱电场的影响，而且类似于点光源的形式以直线方式沿其径向轨迹散射开来。因此，只有出射方向正对着探测器的背散射电子才可以进入探测器中。当背散射探测器的有效面积所覆盖的立体角越大时，其接收效率越高，信噪比也越好，图像分辨力越能得到改善。
小心地施加灯丝的加热电流
直热式的钨阴极发射通过对灯丝的直接加热，把电子从钨阴极材料中激发出来。若增加灯丝的加热电流，灯丝的温度就会随之上升，发射的束流也会随之加大。当灯丝的发射束流达到其高点时，即使再加大灯丝的加热电流，其发射的束流也很难再有明显增加，而只会增加灯丝的温度，从而加速灯丝的挥发，进而导致灯丝很快烧断。也就是说操作者应该小心地施加灯丝的加热电流，以获得既大又稳定的发射束流，而灯丝的温度又能恰到好处，不至于升得太高而造成过热，这个点就叫作饱和点。
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