相对湿度越高,粘附的难去掉，但当相对湿度30%时，又由于静电力的作用使粒子也容易吸附于表面，同时大量半导体器件容易发生击穿。对于硅片生产温度范围为35—45%。洁净室中的温湿度控制。洁净空间的温湿度主要是根据工艺要求来确定，但在满足工艺要求的条件下，应考虑到人的舒适度感。随着空气洁净度要求的提高，出现了工艺对温湿度的要求也越来越严的趋势。1级：主要应用于电子工业，这是目前对净化工程要求高的环境
实验室净化工程
相对湿度越高,粘附的难去掉，但当相对湿度30%时，又由于静电力的作用使粒子也容易吸附于表面，同时大量半导体器件容易发生击穿。对于硅片生产温度范围为35—45%。洁净室中的温湿度控制。洁净空间的温湿度主要是根据工艺要求来确定，但在满足工艺要求的条件下，应考虑到人的舒适度感。随着空气洁净度要求的提高，出现了工艺对温湿度的要求也越来越严的趋势。
1级：主要应用于电子工业，这是目前对净化工程要求高的环境，集成电路要求的精度要达到亚微米。随着微电子工业技术领域的突飞猛进，对洁净室的要求越来越高。及时生产间内的例子直径仅有1微米，也会使产品寿命受到影响。净化工程的步的关键是设计，工程设计水平的好与坏将直接关系到整个工程之后的施工，还会影响净化工程今后的稳定性、可靠性、经济性。在实际施工中，净化项目通常分为，分工和分时。这种安排有利于各种和工作类型的管理。但是，易于进行多尘和无尘的交叉操作，应尽可能避免这种结构布置。如果不可避免，应该防止灰尘和有效清洁。
相对湿度越高,粘附的难去掉，但当相对湿度30%时，又由于静电力的作用使粒子也容易吸附于表面，同时大量半导体器件容易发生击穿。对于硅片生产温度范围为35—45%。净化工程的步的关键是设计，工程设计水平的好与坏将直接关系到整个工程之后的施工，还会影响净化工程今后的稳定性、可靠性、经济性。洁净室中的温湿度控制。洁净空间的温湿度主要是根据工艺要求来确定，但在满足工艺要求的条件下，应考虑到人的舒适度感。随着空气洁净度要求的提高，出现了工艺对温湿度的要求也越来越严的趋势。
净化工程在设计时，无论是新建还是重新改造的净化车间，都一定依照相关标准、规范进行。净化工程的一般施工程序：粉尘作业，无尘作业后，不允许交叉作业。否则会影响项目的质量。也就是说，在完成所有粉尘产生操作之后，可以进行无尘操作。压力差的维持依靠新风量，这个新风量要能补偿在这一压力差下从缝隙漏泄掉的风量。所以压力差的物理意义就是漏泄（或渗透）风量通过洁净室的各种缝隙时的阻力。
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