清洗安全操作规范：
(1)有机废液和无机废液要回收严格分开，放入不同密封箱里；
(2)异bing醇和去胶液的温度已经固定，不得随意更改。如确有需要，向领班汇报，等待上级批准；
(3)硫酸和混合溶液一定要等到冷却到30°C以下才能回收；
(4)溶液配制或回收时，溅到操作台上的溶液一定要用水冲干净，再用氮qi吹干，保持工作台的清洁、干净。
湿制程腐蚀机
清洗安全操作规范：
(1)有机废液和无机废液要回收严格分开，放入不同密封箱里；
(2)异bing醇和去胶液的温度已经固定，不得随意更改。如确有需要，向领班汇报，等待上级批准；
(3)硫酸和混合溶液一定要等到冷却到30°C以下才能回收；
(4)溶液配制或回收时，溅到操作台上的溶液一定要用水冲干净，再用氮qi吹干，保持工作台的清洁、干净。
干法清洗：
对于已经氢还原的MCP,因为二次电子发射层已经形成,如果采用化学清洗或湿法清洗容易造成对MCP电性能的破坏,并可能产生清洗介质对MCP的再次污染。因此氢还原后的MCP,一般选用干法清洗,主要包括等离子清洗、辉光放电、紫外清洗等清洗技术。
传统真空干燥工艺的缺陷在哪？
超级电容、电容以及锂离子电池行业的众多生产厂家基本采用了传统的真空干燥方法。
这里指的传统真空干燥方法，是指单一真空干燥功能、单一工序的、打开密封门即进入大气环境的真空干燥方式。
这样大家就比较容易找到传统的真空干燥方法的缺点：就是从一个工序转移到下一道工序时，超级电容CELL在这个时间段又暴露在大气环境中，从而导致水份、空气再次进入CELL。
水份、空气再次导入CELL，从而在制造过程中就使超级电容CELL先天不足，提高MODULES的各项性能和技术指标亦然成为伪命
半导体水基清洗剂主要用于清洗表面沾污有石蜡、油脂和油脂类高分子化合物以及表面沾污有金属原子和金属离子等。在半导体分立器件和中、小规模集成电路中能够完全代替传统半导体清洗工艺中使用的清洗液。
根据清洗媒介的不同，又可以分为湿式清洗和干式清洗：一般将在液体介质中进行的清洗称为湿式清洗，在气体介质中进行的清洗称为干式清洗．传统的清洗方式大多为湿式清洗，而人们比较容易理解的干式清洗也就是吸尘器．但近年来，干式清洗发展迅速．如激光清 洗．紫外线清洗，等离子清洗、干冰清洗等，在高。精，尖工业技术领域得到发展。
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