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肖特基二极管是以其发明人华特肖特基博士（Walter Hermann Schottky，1886年7月23日—1976年3月4日）命名的，SBD是肖特基势垒二极管。
从诞生之初，肖特基二极管就注定了其不平凡的一生，从低频到高频，从高损耗到低损耗，肖特基二极管在其发展上走出了一步一步的不平凡！ASEMI在21世纪延续了这个不平凡，将高频率
肖特基二极管正负
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肖特基二极管是以其发明人华特肖特基博士（Walter Hermann Schottky，1886年7月23日—1976年3月4日）命名的，SBD是肖特基势垒二极管。
从诞生之初，肖特基二极管就注定了其不平凡的一生，从低频到高频，从高损耗到低损耗，肖特基二极管在其发展上走出了一步一步的不平凡！ASEMI在21世纪延续了这个不平凡，将高频率低耗损环保节能的产品引入并发展！
常见的肖特基有贴片肖特基二极管与直插型肖特基二极管。
首先一起来看一下贴片型肖特基二极管：SBD具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，耐压顶多达到约100V，以致于限制了其应用范围。像在开关电源(SMPS)和功率因数校正(PFC)电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V~1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等，只有使用恢复外延二极管(FRED)和超恢复二极管(UFRD)。
ASEMI高压SBD
长期以来，在输出12V~24V的SMPS中，次级边的高频整流器只有选用100V的SBD或200V的FRED。在输出24V~48V的SMPS中，只有选用200V~400V的FRED。设计者迫切需要介于100V~200V之间的150VSBD和用于48V输出SMPS用的200VSBD。近两年来，美国IR公司和APT公司以及ST公司瞄准高压SBD的巨大商机，先后开发出150V和200V的SBD。这种高压SBD比原低压SBD在结构上增加了PN结工艺，形成肖特基势垒与PN结相结合的混合结构
肖特基二极管
优点：
1. 正向压降小 ： 通常0.4V左右
2. 反向恢复时间极短: 可达5纳秒
3. 大的正向电流: 1A---300A之间
缺点：
1.反向工作电压VR低: 通常200V以下
2.漏电流稍大些 : 仅有10mA
例1：B82-400
1.反向工作电压VRRM:40V
2.正向压降VF:0.55V(IF=2.0A)
3.漏电流IR=5mA(VRRM=40V)
4.整流电流IF=5A
5.浪涌电流IFSM=100A(T=10ms)
例2：1N5817,1N5818,1N5819
1.反向工作电压VRRM(1N5817,1N5818,1N5819 ):20V,30V,40V
2.正向压降VF:0.6V(IF=1.0A)
3.漏电流IR=0.1mA(VRRM=40V)
4.整流电流IF=1A
5.浪涌电流IFSM=25A(T=10ms)
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