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中高功率应用宽带隙半导体开关器件驱动电路综述
“宽带隙（WBG）基于氮化（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）和碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的基于宽带隙（WBG）的转换装置被认为是非常有前途的候选者更换用于各种电源转换应用的传统硅（SI）MOSFET，主要是因为它们具有更高开关
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中高功率应用宽带隙半导体开关器件驱动电路综述
“宽带隙（WBG）基于氮化（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）和碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的基于宽带隙（WBG）的转换装置被认为是非常有前途的候选者更换用于各种电源转换应用的传统硅（SI）MOSFET，主要是因为它们具有更高开关频率的能力，具有较少的开关和导通损耗。然而，为了充分利用它们的优势，了解WBG和Si的开关装置之间的内在差异并对WBG设备进行安全，有效地和可靠地研究有效手段至关重要。本文旨在为电力工程领域提供工程师了解WBG切换设备的驾驶需求，特别是对于中到高功率应用。首先，探讨了WBG开关装置的特性和操作原理及其在特定电压范围内的商业产品。接下来，寻址关于WBG交换设备的驱动电路设计的考虑，探索设计用于WBG交换设备的商业驱动程序。后，介绍了关于典型关于在中到高功率应用中的WBG交换设备的驾驶技术的综述。“ 探索为WBG交换设备设计的商业驱动程序。后，介绍了关于典型关于在中到高功率应用中的WBG交换设备的驾驶技术的综述。“ 探索为WBG交换设备设计的商业驱动程序。后，介绍了关于典型关于在中到高功率应用中的WBG交换设备的驾驶技术的综述。“
设备和系统光刻路线图的国际路线图
“背景：半导体芯片性能的计划改进在历推动了光刻技术的改进，预计这将在未来继续。国际设备和系统路线图路线图有助于行业规划未来。
目标：2021 年光刻路线图显示了未来 15 年的要求、可能的选择和挑战。
结果：逻辑芯片的临界尺寸现在足够小，以至于随机因素，即光子、分子和光刻胶成像过程中的随机变化，会引入尺寸的随机变化和随机驱动的缺陷。随着临界尺寸变得更小，随机指标成为更大的挑战。该路线图预计，尽管在工具、光刻胶、器件设计和图案化工艺方面预计会有所改进，但在未来 10 年内，印刷抗蚀剂的剂量仍需大约增加三倍，以保持可接受的随机性，除非对工艺或芯片设计进行重大更改。这将大大提高图案化成本。其他图案化选项正在开发中，但它们也面临与缺陷相关的挑战。边缘放置错误 (EPE) 也是未来设备面临的挑战。长期，
结论：逻辑器件将推动前沿光刻技术。改进的极紫外光刻是主要候选方案，但其他选择也是可能的。关键的短期挑战是随机指标、EPE 和成本。除非出现实质性的工艺，否则随着关键尺寸的缩小，预计印刷抗蚀剂的剂量将大幅增加。从长远来看，当逻辑设备切换到 3D 缩放时，挑战将是良率和工艺复杂性。”
未来的芯片需求，将来自什么应用？（一）
2022年才刚过一季，半导体市场却灾情不断，像是广达因PC电脑需求罕见单，苹果（Apple）传出需求疲弱而调降Iphone 13、Iphone SE和无线蓝芽耳机Airpods的产量，美系外资新出炉的报告也发出半导体库存需要修正的警示，预期力积电也可能面临客户砍单。
确实，半导体经济多少受新冠疫情再起和乌俄的影响，但事实是：评估半导体库存的，已悄然移转。
面对美系外资的评论，力积电董事长黄崇仁表示，现在是多元社会，不能用单一产品市场需求分析，如苹果并不是只出产手机，外资若还是以电脑与手机市场需求分析，则是落后的思想。
我格外认同这段话。近年数字经济已开始由汇流走向新分流，除了电脑和手机外，半导体的确有许多新方向可以让人作梦，像是元宇宙相关的AR/VR/MR、伺服器主机、新能源汽车和智能自驾车领域等，但目前大多的产业分析师仍以电脑与手机的产量作为半导体市场的评估标准，确实不公平。
举例来说，近期因永续节能而广受市场认同的电动车及智能自驾车的半导体就被忽略了。
光刻机制造商ASML预计涨价幅度在10%-15%
位于荷兰的半导体设备供应商 ASML 公布了第二季度业绩，显示供应链挑战、通货膨胀和地缘政治不确定性的不利因素，并暗示其机器价格可能会上涨。
ASML 拥有 95% 的 DUV 设备市场份额，而还没有任何本土替代品。但是，还有其他竞争对手，如尼康和佳能可以向提供深紫外设备。因此，文宁克的评论主要是说，美国提出限制ASML继续向销售DUV，将让其竞争对手在市场获得更大的份额。
Wennink 看到（汽车领域）半导体含量翻了两番或五倍，工业领域、计算和汽车领域的需求依然强劲。他证实了“短期情况喜忧参半”，因为经济放缓，特别是在个人电脑和智能手机领域，并且在不同的半导体节点中，库存上升到 Covid 之前的水平是相当广泛的。据此初步判断，ASML涨价幅度预计在10-15%。
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