随着物联网，智能制造，人工智能，云计算，大数据等等技术的蓬勃发展和广泛应用，必将对传感器(技术、产业)的发展，迎来新的机遇和挑战，这是时代、历史赋予“传感器人”的天赐良机，传感器(技术、产业)风险犹存，必须从利益、安全着想，攻破技术壁垒、打破行业界线、突破人才禁区、解破产业难点，埋头工作、厚积薄发，要努力、企业要努力、每一位“传感器人”要努力，中
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随着物联网，智能制造，人工智能，云计算，大数据等等技术的蓬勃发展和广泛应用，必将对传感器(技术、产业)的发展，迎来新的机遇和挑战，这是时代、历史赋予“传感器人”的天赐良机，传感器(技术、产业)风险犹存，必须从利益、安全着想，攻破技术壁垒、打破行业界线、突破人才禁区、解破产业难点，埋头工作、厚积薄发，要努力、企业要努力、每一位“传感器人”要努力，的传感器一定会越来越好。
磁传感器广泛用于现代工业和电子产品中以感应磁场强度来测量电流
磁传感器广泛用于现代工业和电子产品中以感应磁场强度来测量电流、位置、方向等物理参数。在现有技术中，有许多不同类型的传感器用于测量磁场和其他参数，例如采用霍尔（Hall）元件，各向异性磁电阻（Anisotropic Magnetoresistance, AMR）元件或巨磁电阻（Giant Magnetoresistance, GMR）元件为敏感元件的磁传感器。以霍尔元件为敏感元件的磁传感器通常使用聚磁环结构来放大磁场，提高霍尔输出灵敏度，从而增加了传感器的体积和重量，同时霍尔元件具有功耗大，线性度差的缺陷。AMR元件虽然其灵敏度比霍尔元件高很多，但是其线性范围窄，同时以AMR为敏感元件的磁传感器需要设置Set/Reset线圈对其进行预设/复位操作，造成其制造工艺的复杂，线圈结构的设置在增加尺寸的同时也增加了功耗。以GMR元件为敏感元件的磁传感器较之霍尔电流传感器有更高的灵敏度，但是其线性范围偏低。
TMR(TunnelMagnetoResistance)元件
TMR（Tunnel MagnetoResistance）元件是近年来开始工业应用的新型磁电阻效应传感器，其利用的是磁性多层膜材料的隧道磁电阻效应对磁场进行感应，比之前所发现并实际应用的AMR元件和GMR元件具有更大的电阻变化率。我们通常也用磁隧道结（Magnetic Tunnel Junction，MTJ）来代指TMR元件，MTJ元件相对于霍尔元件具有更好的温度稳定性，更高的灵敏度，更低的功耗，更好的线性度，不需要额外的聚磁环结构；相对于AMR元件具有更好的温度稳定性，更高的灵敏度，更宽的线性范围，不需要额外的set/reset线圈结构；相对于GMR元件具有更好的温度稳定性，更高的灵敏度，更低的功耗，更宽的线性范围。
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