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中高功率应用宽带隙半导体开关器件驱动电路综述
“宽带隙（WBG）基于氮化（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）和碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的基于宽带隙（WBG）的转换装置被认为是非常有前途的候选者更换用于各种电源转换应用的传统硅（SI）MOSFET，主要是因为它们具有更高开关
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中高功率应用宽带隙半导体开关器件驱动电路综述
“宽带隙（WBG）基于氮化（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）和碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的基于宽带隙（WBG）的转换装置被认为是非常有前途的候选者更换用于各种电源转换应用的传统硅（SI）MOSFET，主要是因为它们具有更高开关频率的能力，具有较少的开关和导通损耗。然而，为了充分利用它们的优势，了解WBG和Si的开关装置之间的内在差异并对WBG设备进行安全，有效地和可靠地研究有效手段至关重要。本文旨在为电力工程领域提供工程师了解WBG切换设备的驾驶需求，特别是对于中到高功率应用。首先，探讨了WBG开关装置的特性和操作原理及其在特定电压范围内的商业产品。接下来，寻址关于WBG交换设备的驱动电路设计的考虑，探索设计用于WBG交换设备的商业驱动程序。后，介绍了关于典型关于在中到高功率应用中的WBG交换设备的驾驶技术的综述。“ 探索为WBG交换设备设计的商业驱动程序。后，介绍了关于典型关于在中到高功率应用中的WBG交换设备的驾驶技术的综述。“ 探索为WBG交换设备设计的商业驱动程序。后，介绍了关于典型关于在中到高功率应用中的WBG交换设备的驾驶技术的综述。“
字节跳动自研芯片，仅供内部使用
当下自主造芯已成为互联网大厂不可错过的发展路径。在字节跳动之前，BAT三巨头、阿里、腾讯早已下场造芯。业界传闻字节跳动造芯已一年有余，虽迟但到，近日该公司也正式确认了其自主造芯之路。
字节跳动发言人证实，由于无法找到能够满足需求的供应商，公司正在自研芯片。该发言人表示，研发芯片将会专门针对字节跳动涉足的多个业务领域进行定制，包括视频平台、信息和娱乐应用等。芯片将仅内部使用，不会向其他公司销售。
据悉，字节跳动的芯片团队已组建一年多，该团队主要分为服务器芯片、AI芯片以及视频云芯片三大类。业界传闻，字节跳动此前已吸纳了不少华为海思、Arm等行业巨头的人才。行业消息显示，字节跳动此番造芯，一方面是为了降低芯片采购成本，另一方面，自研芯片可根据自身业务来自定义，能够自主优化性能。
大众汽车联合ST，共同开发SoC以及微控制器
大众集团旗下CARIAD软件公司表示将与意法半导体联合开发用于汽车的系统级芯片（SoC）。据悉，双方将共同开发用于连接、能源管理和远程更新等功能的定制硬件，以服务大众集团新一代汽车，它们将基于统一的、可扩展的软件平台。
根据协议，CARIAD与意法半导体计划选择台积电生产SoC，以确保未来数年的芯片供应。
此外，CARIAD还计划引导大众集团的一级供应商只使用与意法半导体共同开发的SoC，以及意法半导体的标准Stellar微控制器，用于CARIAD的区域架构。
这是近期大众集团推动的第二个以芯片为重点的合作伙伴关系，稍早之前，Cariad表示已经与高通达成合作以协助自动驾驶应用。
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