背散射电子的激发深度随加速电压的升高而增大背散射电子的激发深度随加速电压的升高而增大,对于中等原子序数的元素来说,背散射电子的产生深度主要来自于距试样表面约lum深度内的信息,轻元素和超轻元素试样的背散射电子的产生深度可达试样表面以下2~3um。在一定的加速电压下,由于背散射电子的产额基本上随试样原子序数的而增加。所以,利用背散射电子作为成像信号不仅能分析试样形貌特征(纯形
三维重构中心
背散射电子的激发深度随加速电压的升高而增大
背散射电子的激发深度随加速电压的升高而增大,对于中等原子序数的元素来说,背散射电子的产生深度主要来自于距试样表面约lum深度内的信息,轻元素和超轻元素试样的背散射电子的产生深度可达试样表面以下2~3um。在一定的加速电压下,由于背散射电子的产额基本上随试样原子序数的而增加。所以,利用背散射电子作为成像信号不仅能分析试样形貌特征(纯形貌像),而且还可用于显示试样化学组分的组成特征(原子序数衬度像),在一定的范围内能粗略进行定性分析试样表面的化学组分分布状况。

从电子中发射出高能电子束撞击样品表面,与原子的内层电子发生
从电子中发射出高能电子束撞击样品表面,与原子的内层电子发生非弹性散射作用时,使原子发生电离,从而使原子失去一个内层电子而变成离子,并在该电子层对应位置产生一个空穴,原子为了恢复到稳定态,较外层的电子就会填补到这个空穴,在填补过程中同时会产生具有特征能量的X射线,探测器接收到这些特征X射线后,经过分析处理转换得到谱图和分析数据输出。
当以背散射电子为调制信号时,由于背散射电子能量比较高,穿透能力强,可从样品中较深的区域逸出(约为有效作用深度的30%左右)。在此深度范围,入射电子已有了相当宽的侧向扩展,所以背散射电子像分辨率要比二次电子像低,一般在500~2000nm左右。
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