湿法刻蚀机台,适用于半导体湿法刻蚀工艺,包括:支撑结构,支撑结构提供一支撑面用以支撑待刻蚀的晶圆;待刻蚀的晶圆与支撑面之间预设一预定距离,支撑面朝向待刻蚀的晶圆的一面均布有多个气体喷嘴;控温加热装置,连接边缘的气体喷嘴的气体管路,以加热气体管路内的保护气体;喷嘴装置,设置于支撑面的上方,喷嘴装置包括一喷嘴与一液体输送管,喷嘴设置于朝向支撑面的一面,液体输送管连接喷嘴背向支撑面的
硅片酸洗设备
湿法刻蚀机台,适用于半导体湿法刻蚀工艺,包括:支撑结构,支撑结构提供一支撑面用以支撑待刻蚀的晶圆;待刻蚀的晶圆与支撑面之间预设一预定距离,支撑面朝向待刻蚀的晶圆的一面均布有多个气体喷嘴;控温加热装置,连接边缘的气体喷嘴的气体管路,以加热气体管路内的保护气体;喷嘴装置,设置于支撑面的上方,喷嘴装置包括一喷嘴与一液体输送管,喷嘴设置于朝向支撑面的一面,液体输送管连接喷嘴背向支撑面的一端。
等离子刻蚀机器，又叫等离子蚀刻机、等离子平面刻蚀机、等离子体刻蚀机、等离子表面处理仪、等离子清洗系统等。等离子刻蚀，是干法刻蚀中*常见的一种形式，其原理是暴露在电子区域的气体形成等离子体，由此产生的电离气体和释放高能电子组成的气体，从而形成了等离子或离子，电离气体。
化学清洗槽（也叫酸槽/化学槽），主要有HF,,H2SO4,H2O2，HCL等酸碱液体按一定比例配置，目的是为了去除杂质，去离子,去原子，后还有DI清洗。IPA是，就是工业酒精，是用来clean机台或parts的，是为了减少partical的。
硅晶片的化学蚀刻是通过将晶片浸入蚀刻剂中来完成的，该蚀刻剂传统上是稀释剂或苛性碱溶液的酸性混合物。报道了苛性结晶学蚀刻的各种研究.然而，本文只关注基于酸的蚀刻的传输和动力学效应。实际的反应机理相当复杂，涉及许多基本反应。氢和不同的氮氧化物会产生。已经提出了许多不同条件下硅片溶解的速率方程。
腐蚀机对功率半导体器件中半导体芯片进行腐蚀加工均采用人工操作，即先人工将半导体芯片除台面外的两面涂黑蜡保护，再人工将半导体芯片台面进行腐蚀、清洗，人工用有机物去除黑蜡、清洗、烘干。现有人工对半导体芯片台面进行腐蚀不仅存在手工涂蜡浪费人力及有机物的问题，而且还存在不能在保持芯片干净的情况下直接进行烘干的问题。
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