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常见的肖特基有贴片肖特基二极管与直插型肖特基二极管。
首先一起来看一下贴片型肖特基二极管：SBD具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，耐压顶多达到约100V，以致于限制了其应用范围。像在开关电源(SMPS)和功率因数校正(PFC)电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整
肖特基二极管的应用
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常见的肖特基有贴片肖特基二极管与直插型肖特基二极管。
首先一起来看一下贴片型肖特基二极管：SBD具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，耐压顶多达到约100V，以致于限制了其应用范围。像在开关电源(SMPS)和功率因数校正(PFC)电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V~1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等，只有使用恢复外延二极管(FRED)和超恢复二极管(UFRD)。
在外加电压为零时，电子的扩散电流与反向的漂移电流相等，达到动态平衡。在加正向偏压(即金属加正电压，半导体加负电压)时，自建场削弱，半导体一侧势垒降低，于是形成从金属到半导体的正向电流。当加反向偏压时，自建场增强，势垒高度增加，形成由半导体到金属的较小反向电流。因此，SBD与PN结二极管一样，是一种具有单向导电性的非线性器件。
SBD的正向压降和反向漏电流直接影响SBD整流器的功率损耗，关系到系统效率。低正向压降要求有低的肖特基势垒高度，而较高的反向击穿电压要求有尽可能高的势垒高度，这是相矛盾的。因此，对势垒金属必须折衷考虑，故对其选择显得十分重要。对N型SiC来说，Ni和Ti是比较理想的肖特基势垒金属。由于Ni/SiC的势垒高度高于Ti/SiC，故前者有更低的反向漏电流，而后者的正向压降较小。
MUR2060CTR产品参数与整流原理图
“阳”指的是正极、正向电流或者指输入，“共阳”意味着共用一条引线作为输入端。MUR2060CTR是共阳管，就表明这个型号的快恢复二极管的输入正向电流是共用一条引线的。由下图可知，MUR2060CTR采用的是TO-220封装，有3条引脚，即引线；共用的一条引线为中间的引脚，因此电流方向是两段输出，中间输入的。
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