正性光刻胶
正性光刻胶
正性光刻胶也称为正胶。正性光刻胶树脂是一种叫做线性酚醛树脂的酚醛甲醛,提供光刻胶的粘附性、化学抗蚀性,当没有溶解存在时,线性酚醛树脂会溶解在显影液中,感光剂是光敏化合物,常见的是重氮萘醌(DNQ)。在曝光前,DNQ是一种强烈的溶解,降低树脂的溶解速度。在紫外曝光后,DNQ在光刻胶中化学分解,成为溶解度增强剂,大幅提高显影液中的溶解度因子至100或者更
NR7 6000PY光刻胶厂家
正性光刻胶
正性光刻胶
正性光刻胶也称为正胶。正性光刻胶树脂是一种叫做线性酚醛树脂的酚醛甲醛,提供光刻胶的粘附性、化学抗蚀性,当没有溶解存在时,线性酚醛树脂会溶解在显影液中,感光剂是光敏化合物,常见的是重氮萘醌(DNQ)。在曝光前,DNQ是一种强烈的溶解,降低树脂的溶解速度。在紫外曝光后,DNQ在光刻胶中化学分解,成为溶解度增强剂,大幅提高显影液中的溶解度因子至100或者更高。5,显影液在已经曝光的硅衬底胶面喷淋显影液,或将其浸泡在显影液中,正胶是曝光区、而负胶是非曝光区的胶膜溶入显影液,胶膜中的潜影显现出来,形成三维图像。这种曝光反应会在DNQ中产生羧酸,它在显影液中溶解度很高。正性光刻胶具有很好的对比度,所以生成的图形具有良好的分辨率。
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五、曝光
在这一步中,将使用特定波长的光对覆盖衬底的光刻胶进行选择性地照射。光刻胶中的感光剂会发生光化学反应,从而使正光刻胶被照射区域(感光区域)、负光刻胶未被照射的区域(非感光区)化学成分发生变化。③光交联型,采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,形成一种不溶性的网状结构,而起到抗蚀作用,可以制成负性光刻胶。这些化学成分发生变化的区域,在下一步的能够溶解于特定的显影液中。
在接受光照后,正性光刻胶中的感光剂DQ会发生光化学反应,变为乙烯酮,并进一步水解为茚并羧酸(Indene-Carboxylic-Acid, CA),羧酸在碱性溶剂中的溶解度比未感光部分的光刻胶高出约100倍,产生的羧酸同时还会促进酚醛树脂的溶解。利用感光与未感光光刻胶对碱性溶剂的不同溶解度,就可以进行掩膜图形的转移。显影完成后通常进行工艺线的显影检验,通常是在显微镜下观察显影效果,显影是否、光刻胶图形是否完好。
曝光方法:
a、接触式曝光(Contact Printing)掩膜板直接与光刻胶层接触。
b、接近式曝光(Proximity Printing)掩膜板与光刻胶层的略微分开,大约为10~50μm。
c、投影式曝光(Projection Printing)。在掩膜板与光刻胶之间使用透镜聚集光实现曝光。
d、步进式曝光(Stepper)
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6,坚膜
坚膜也叫后烘,是为了去除由于显影液的浸泡引起胶膜软化、溶胀现象,能使胶膜附着能力增强,康腐蚀能力提高。坚膜温度通常情况高于前烘和曝光后烘烤的温度 100-140度 10-30min,7,显影检验,光刻胶钻蚀、图像尺寸变化、套刻对准不良、光刻胶膜损伤、线条是否齐、陡,针KONG、小岛。下游发展趋势光刻胶的质量和性能是影响集成电路性能、成品率及可靠性的关键因素。
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