编辑：TH
整流方桥MT5010电性参数是50A100V，芯片材质采用GPP芯片。MT5010内部含有5个GPP芯片，芯片尺寸达180MIL，正向电流达50A，正向电压1.05V，浪涌电流是500A，漏电流在500uA的范围内，恢复时间快达500ns。
：ASEMI
封装：D-63
特性：单相
充电桩三相整流桥
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整流方桥MT5010电性参数是50A100V，芯片材质采用GPP芯片。MT5010内部含有5个GPP芯片，芯片尺寸达180MIL，正向电流达50A，正向电压1.05V，浪涌电流是500A，漏电流在500uA的范围内，恢复时间快达500ns。
：ASEMI
封装：D-63
特性：单相整流方桥
电性参数：50A1000V
芯片个数：5
浪涌电流Ifsm：500A
工作温度：-55~+150℃
恢复时间(Trr)：500ns
引线数量：5
MT5010的电性参数：正向平均电流50A；反向峰值电压1000V
MT5016的包装方式：100/盒，500/箱
整流桥被广泛适用于：电源、充电器、适配器、LED灯饰、大小家电、民用及工业设备等产品中使用
三相整流桥扁桥D50XT80，5只引脚
ASEMI原装，生产有效率，订单交期快，解决货期长，生产低效率问题
电性参数： 正向电流值：50A ； 反向耐压值 ：800V
4只GPP 硅芯片，芯片尺寸大至200mil，高抗浪涌，散热性好，防热击穿。
ASEMI原装，本系列其他产品 D50XT100、D50XT120、D50XT160。采用波峰GPP大芯片，参数离散性一致，质量高稳定性和可靠性。
三相整流桥与单相整流桥的区别，前者输入电源是三相电源，后者输入电源单相电，前者整流桥有6个晶闸管，后者整流桥有4个晶闸管。
MT5010是整流桥中的三相整流桥，和一般的整理桥堆不一样，体积较大，但也正因为它的大体积，因此电流电压参数较高，50A1000V，多用于大电流的产品。应用领域：三相交流用电设备，马达，电焊机，发电机，变频器。
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