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碳化硅（SiC）是第三代化合物半导体材料。半导体产业的基石是芯片，制作芯片的核心材料按照历史进程分为：一代半导体材料（大部分为目前广泛使用的高纯度硅），二代化合物半导体材料（、磷化铟），第三代化合物半导体材料（碳化硅、氮化） 。碳化硅因其优越的物理性能：高禁带宽度（对应高击穿电场和高功率密度）、高电导率、高热导率
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碳化硅形成的特点是不通过液相，其过程是，约从1700摄氏度开始，碳质原料由砂粒变为熔体，进而变为蒸汽；二氧化硅熔体和蒸汽钻进碳质材料的气孔，渗入碳的颗粒，发生生成SiC的反应；温度升高至1700-1900摄氏度时，生产β-SiC；温度进一步升高至1900-2000摄氏度时，细小的β-SiC转变成α-SiC，α-SiC晶粒逐渐长大和密实；炉温再升至2500摄氏度左右，SiC开始分解变为硅蒸汽和石墨。
碳化硅质耐火材料在使用时经受着各种类型的负荷—压力、拉力、弯曲、剪力以及磨损等。碳化硅质耐火材料使用时的特征是经常受到较大的负荷或磨损(烧成陶瓷制品用的架子砖、除尘器内衬、铁鳞还原炉用衬板、旋风燃烧室的内衬、锌凝结装置的桨叶式喷雾器、输送金属用的泵以及窑炉的牵引部件等)。因此，碳化硅质耐火材料的强度在某些情况下是为重要的。同时，耐火制品的热稳定性还决定于其机械性能，对于耐火材料的使用来说，热稳定性经常具有决定性的意义。碳化硅质耐火材料的强度取决于一系列的工艺因素—泥料的颗粒组成、加入剂成型方法，特别是砖坯的成型压力，以及烧成温度与烧成条件。以二氧化硅为结合剂制造的碳化硅质制品，由各种粒度碳化硅颗粒以及胶结它的二氧化硅物质构成。在这种情况下，其结构与机械强度由泥料的颗拉组成以及在烧成时碳化硅氧化过程发展程度来决定。采用同一粒度粗颗拉(0.4～0.6毫米)以及小粒度(磨碎至小于0.6毫米)的碳化硅，有助于在烧成过程中由于颗粒的部分氧化而形成具有一定耐压强度的坯体。随着颗粒度的降低，砖坯耐压强度急剧地增长。以不同压力成型的试样经过各种忍度烧成之后，观察到同样的关系。
碳化硅(SiC)与氮化硅相似,具有特别的高温强度、耐蚀性、性和满足的硬度和刚度，以及耐热冲击、高稳定性等特性。碳化硅又称金刚砂，它的硬度仅次于金刚石、碳化硼、立方氮化硼，在无机资料中排行第四。高纯的碳化硅为无色.因为所用质料和制作办法不一样，其晶型和色彩其有多样性，色彩从浅黄到蓝色、蓝绿和黑色不等。早期因为制作技能上的艰难，只能以粉末方式作磨料用.这些年制作技能有重大突破，使用上也有很大开发。首要，作为耐火资料能够用在非铁金属窑炉的炉壁、炉顶与底、加热炉的滑道;高炉投料口、陶瓷等窑炉内搁板、支柱、套简、焚炉炉壁等等。因为其在1400-1500°C高温下比较稳定能够长期使用，故在不能使用镍、铬等耐热合金的高温环境里用作发热元件。
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