许昌肖特基二极管的应用「在线咨询」

MBR10200CT肖特基二极管，台湾ASEMI 编辑：L MBR10200CT 肖特基二极管，台湾ASEMI，其电性参数为10A，200V，封装为：TO-220封装，芯片采用的是2个86MIL的俄罗斯进口Mikron芯片，印字采用的是镭射激光打标，不易退色。 ASEM仍然坚持自己的原则，坚持执行优方针，努力做到“产品精益求精”，满
肖特基二极管的应用


MBR10200CT肖特基二极管，台湾ASEMI

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MBR10200CT 肖特基二极管，台湾ASEMI，其电性参数为10A，200V，封装为：TO-220封装，芯片采用的是2个86MIL的俄罗斯进口Mikron芯片，印字采用的是镭射激光打标，不易退色。









ASEM仍然坚持自己的原则，坚持执行优方针，努力做到“产品精益求精”，满足客户并超越客户的需求，与客户携手同行，走向成功之路。



ASEMI低压降肖特基二极管SB10100LCT


ASEMISB10100LCT是一款拥有超低正向压降的肖特基二极管，其电性参数为10A 100V，封装为TO-220AB封装。一款低压降的肖特基二极管，普通的肖特基二极管压降在0.8V左右，已经比普通的二极管1.1V的电压降低了很多，而SB10100LCT的压降更是降低到0.56V，比普能的二极管消耗低了近40%，大大降低了电路中不必要的损耗。















ASEMI低压降肖特基二极管SB20100LCT


ASEMI低压降肖特基二极管SB20100LCT

●【ASEMI】代表本产品的 台湾ASEMI

●【SB20100LCT】代表本产品的完整型号

●【SB-L】代表V版低压降肖特基二极管

●【20】代表其正向电流为20A

●【100】代表其反向耐压为100V

●【CT】代表其封装是TO-220AB半塑封











台湾ASEMI的肖特基二极管，对于任何肖特基二极管，在设计时都存在一个取舍。即设备要么针对低VF进行优化，要么针对低IR进行优化。但是VF和IR都会随温度变化而改变。当温度升高，VF会降低，在二极管升温的同时降低了热扩散。







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