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碳化硅（SiC）是第三代化合物半导体材料。半导体产业的基石是芯片，制作芯片的核心材料按照历史进程分为：一代半导体材料（大部分为目前广泛使用的高纯度硅），二代化合物半导体材料（、磷化铟），第三代化合物半导体材料（碳化硅、氮化） 。碳化硅因其优越的物理性能：高禁带宽度（对应高击穿电场和高功率密度）、高电导率、高热导率
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由于碳化硅的硬度很高，可制备成各种磨削用的砂轮，砂布，砂纸以及各类磨料，广泛应用于机械加工行业。工业碳化硅主要作磨料用，黑色碳化硅制成的磨具，多用于切割和研磨抗张强度低的材料，如玻璃，陶瓷，石料和耐火物等。同时也用于铸铁零件和有色金属材料的磨削。绿碳化硅制成的磨具，多用于硬质合金，钛合金，光学玻璃的磨削。
哪些因素会影响碳化硅的质量
1、粘土成分的不同，在生产碳化硅时需要用到粘土的，质量好坏与碳化硅质量的关联度是非常大的，不同类型的粘土对于其体积密度以及抗压强度等都会有着较大的影响。
2、碳化硅质量的影响因素，还有就是在制作时成型压力的不同，在进行制作的时候如果是其他的因素相同的情况下，同成型压力对粘土质碳化硅制量的影响还是非常大的。
3、SiC粒度组成不同，SiC粒度组成也是影响粘土质碳化硅制品体积密度、显气孔率、抗压强度和导热性能等质量参数的重要因素之一。
碳化硅材料属于自然形成的产物，虽然都知道碳化硅的优点很多，但是碳化硅在不同温度下的反应情况也是不一样的。一般情况下，碳化硅在高温的情况下是非常不稳定的，但是他可以在一千六的高文忠长期使用。碳化硅材料一般在空气中加热到一千到一千三摄氏度的时候就会稍微氧化，生成sic2玻璃保护层，一千三的时候保护层开始产生方石英，引起变裂，并且氧化速度也会增加，在一千五到一千六的时候因为二氧化硅的保护层达到了一定的厚度，氧化作用只能停止了，当达到1627摄氏度以上时，就会产生3sic+co元素。
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