1. 溶剂输送系统（单元泵、二元泵、四元泵）相同指标
串联双柱塞往复泵，伺服控制主动入口阀, 可变冲程（20μL～100μL）设计；用户
自主溶剂压缩因子设置，保证在不同流速及不同流动相组成的佳流速稳定性。自动柱塞清
洗装置，有效防止高盐浓度流动相对柱塞的磨损，实时维护泵的使用性能。
流速精密度：<0.07%RSD 或≤0.02min SD
二手1200液相设备价格
1. 溶剂输送系统（单元泵、二元泵、四元泵）相同指标
串联双柱塞往复泵，伺服控制主动入口阀, 可变冲程（20μL～100μL）设计；用户
自主溶剂压缩因子设置，保证在不同流速及不同流动相组成的佳流速稳定性。自动柱塞清
洗装置，有效防止高盐浓度流动相对柱塞的磨损，实时维护泵的使用性能。
流速精密度：<0.07%RSD 或≤0.02min SD
流速准确度：±1%或 10uL/min
压力脉动：< 1%
pH 范围：1.0~12.5
实现晶体的外延生长。这种技术可以生长Si、GaAs、GaAlAs、GaP等半导体材料以及石榴石等磁性材料的单晶层,用以做成各种光电子器件、微波器件、磁泡器件和半导体激光器等 [1] 。液相外延由尼尔松于1963年发明，成为化合物半导体单晶薄层的主要生长方法，被广泛的用于电子器件的生产上。薄层材料和衬底材料相同的称为同质外延，反之称为异质外延。液相外延可分为倾斜法、垂直法和滑舟法三种。
正相柱活化流程：
2.1 保存溶剂为正相溶剂时：
若使用正相溶剂做流动相，可用正相流动相冲洗20倍体积。一般先用冲洗50倍体积，可用0. 2mL/min流速，再用流动相(/水)平衡50倍体积。
2.2 保存溶剂为反相体系时：
若使用反相体系做流动相，使用反相溶剂冲洗20倍体积后即可使用。若使用正相体系做流动相先用冲洗50倍体积，可用0. 2mL/min流速，再用正相流动相平衡50倍体积。
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