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如图所示，ASEMI肖特基二极管解剖图放大后的芯片附近，在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，N型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒，如图所示。当在肖特基势垒两端加上正向偏压(阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极)时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小;反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其
贴片肖特基二极管
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如图所示，ASEMI肖特基二极管解剖图放大后的芯片附近，在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，N型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒，如图所示。当在肖特基势垒两端加上正向偏压(阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极)时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小;反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。
ASEMI高压SBD
长期以来，在输出12V~24V的SMPS中，次级边的高频整流器只有选用100V的SBD或200V的FRED。在输出24V~48V的SMPS中，只有选用200V~400V的FRED。设计者迫切需要介于100V~200V之间的150VSBD和用于48V输出SMPS用的200VSBD。近两年来，美国IR公司和APT公司以及ST公司瞄准高压SBD的巨大商机，先后开发出150V和200V的SBD。这种高压SBD比原低压SBD在结构上增加了PN结工艺，形成肖特基势垒与PN结相结合的混合结构
关于 ASEMI肖特基二极管 的封装
通过型号识别封装外形：
MBR10100:TO-220AC,单芯片，两引脚，
MBR10100CT:TO-220AB,双芯片，三引脚，型号后缀带CT
MBRB10100CT:TO-263（D2PAK）、贴片。
型号前面四个字母B,代表TO-263,国际通用命名。双芯片，三引脚，型号后缀带CT
MBRD1045CT:TO-252（DPAK）、贴片。
MBRD与MBRB都是贴片，D:TO-252,B:TO-263.
MBR3045PT:TO-3P,型号后缀"PT"代表TO-3P封装，
原MOTOROLA现叫做SOT-93
SD1045:D表示TO-251
MUR2060CTR产品参数与整流原理图
“阳”指的是正极、正向电流或者指输入，“共阳”意味着共用一条引线作为输入端。MUR2060CTR是共阳管，就表明这个型号的快恢复二极管的输入正向电流是共用一条引线的。由下图可知，MUR2060CTR采用的是TO-220封装，有3条引脚，即引线；共用的一条引线为中间的引脚，因此电流方向是两段输出，中间输入的。
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