硅片腐蚀利用晶硅腐蚀作用，去除硅片在多线切割锯切片时产生的表面损伤层，同时利用对硅腐蚀的各向异性，争取表面较低反射率较低的表面织构。解释：①现有多晶硅片是由长方体晶锭在多线切割锯切成一片片多晶硅方片。由于切片是钢丝在金刚砂溶液作用下多次往返削切成硅片，金刚砂硬度很高，会在硅片表面带来一定的机械损伤。如果损伤不去除，会影响太阳电池的填充因子。②是在国民经济生产中大量应用化工产品。
硅片刻蚀机
硅片腐蚀利用晶硅腐蚀作用，去除硅片在多线切割锯切片时产生的表面损伤层，同时利用对硅腐蚀的各向异性，争取表面较低反射率较低的表面织构。解释：①现有多晶硅片是由长方体晶锭在多线切割锯切成一片片多晶硅方片。由于切片是钢丝在金刚砂溶液作用下多次往返削切成硅片，金刚砂硬度很高，会在硅片表面带来一定的机械损伤。如果损伤不去除，会影响太阳电池的填充因子。②是在国民经济生产中大量应用化工产品。由电解水而得，价格比较便宜，每500克6元。化学反应方程式为：2NaCl + 2H2O ==通电== 2NaOH + Cl2↑ + H2↑ 。分③碱性腐蚀优点是反应生成物无·，不污染空气和环境。不像HF-HNO3酸性系统会生成有·的NOx气体污染大气。另外，碱性系统与硅反应，基本处于受控状态。有利于硅片的腐蚀，可以保证一定的平行度。
水基清洗机原理：
清洗机由于应用场合和洗涤对象的不同，以及污垢附着的基体的性质差异很大，清洗机理也是复杂的。可简单地将清洗分为以三个过程：
●向被洗物内浸透洗净溶液的过程一浸透作用；
●污垢从固体表面分离的过程—扩张作用； 污垢进行分散保护的过程的过程—分散、浮化、可溶化作用；
●污垢从被洗物除去的过程。
在利用水基清洗机进行清洗时，洗涤对象的表面活性物质的表面性能发生了相当大的变化，如果将1cm3立方体分割成1021个立方体的话，可以计算出它的表面积总和将为6000m2，这时此物质的表面及界面的特性就上升为主要的了，其自由能，表面张力等均发生了质的变化。表面张力为一定值时的浓度。在此浓度下，水基清洗机里的水溶液的许多物理化学性质会发生显著的变化，使用时应特别注意。
面板显示使用的是玻璃基板作为电路的载体，所有的膜质以及对膜质光刻后的图形都是依附在玻璃基板上。在每次成膜或者光刻前都要对玻璃基板表面进行深入清洁，虽然玻璃基板是在无尘车间里运行，但是，还是会存在各种异物（particle）：无机类异物和有机类异物，所以，清洗设备的较大作用就是去除表面的异物，来提升产品的整体良率。
传统和现代应用中越来越多地采用MEMS技术，晶圆清洗序列中越来越多的关键步骤，对3D结构晶圆的需求增加，以及物联网应用中越来越多地采用硅基传感器、芯片和二极管，这些都推动了晶圆清洗机市场的增长。
晶圆清洗机指硅片晶圆生产清洗工艺中，用于去除硅片晶圆表面的有机物、颗粒、金属杂质、自然氧化层及石英、塑料等附件器皿的污染物，且不破坏晶片表面特性的设备。
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