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惠州爱发科分子泵维修固件升级询问报价 广东潽拓光电

广州潽拓光电科技有限公司--爱发科分子泵维修固件升级维修; 涡轮分子泵的工作特性主要表现在以下几个方面:压缩比与阶段压力之间的关系泵选择机械泵作为前级泵。当当前级压力满足一定要求时,分子泵稳定工作,减压比保持恒定。如图464所示,当当前级压力升至1Pa时,子压缩比开始降低,而当当前级压力升至数十帕斯卡时,压缩比急剧下降,分子泵无法正常工作。 抽速与气
爱发科分子泵维修固件升级







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涡轮分子泵的工作特性主要表现在以下几个方面:压缩比与阶段压力之间的关系泵选择机械泵作为前级泵。当当前级压力满足一定要求时,分子泵稳定工作,减压比保持恒定。如图464所示,当当前级压力升至1Pa时,子压缩比开始降低,而当当前级压力升至数十帕斯卡时,压缩比急剧下降,分子泵无法正常工作。





抽速与气体类型之间的关系。所示的关系是,该变化比直线稍慢。这是因为,在旋转速度下,P较大的气体具有较大的速度比,因此叶片的Hoe系数较大,但是它们在进气管中的电导率是由于增加和减少。涡轮分子泵是利用高速旋转的动叶轮将动量传给气体分子,使气体产生定向流动而抽气的真空泵。





涡轮分子泵的优点是启动快,能抗各种射线的照射,耐大气冲击,无气体存储和解吸效应,无油蒸气污染或污染很少,能获得清洁的超高真空。涡轮分子泵广泛用于高能、可控热核反应装置、重粒子以及真空镀膜等需要获得高真空度制造工艺中。




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在高真空抽气过程的起始阶段,泵的很大的未经烘烤的内表面会吸附水,然后再在较低的压力下重新释放出来。这种效应在无阀门的系统中更为明显,因为它可能比未暴露在压力高于150Pa的空气环境的有阀门的系统吸附更多的水蒸气。系统停机时,先关闭高真空阀,如果有液氮冷阱的话,还要将冷阱加热。在冷阱达到平衡温度后,关掉前级管道阀,再切断涡轮分子泵电动机的电源,使分子泵的转子减速。





一般来说,泵转子完全停止需要十分钟或更长的时间。在分子泵转子减速期间,来自前级管道的碳氢化合物和涡轮分子泵的润滑油蒸气会迅速地向泵的进气口上方区域扩散。为了防止机械泵油蒸气和涡轮分子泵润滑油蒸气的返流,在切断涡轮分子泵电动机的电源后,要用一股干燥的反向气流对分子泵进行放气。





例如,应该在泵转子速度下降到很大转速的50%左右时,在泵进气口上方的某处或在转子组件上部连续充入气或氮气,直到泵内压力达到大气压。通过从阀门3(见图1)充入气体就可适当地完成这一操作。当涡轮分子泵以额定速度运转时,不应经常充入压力为大气压的气流。这样做对轴的寿命是不利的。当前级管道阀关闭后,即可关掉机械泵系统,并用放气阀对机械泵内进行放气。停机后应立即关掉冷却水以防止内部冷凝。在正常工作时,可把水温调节到略高于来消除泵体外部可能形成的冷凝物。






真空泵常规性能参数测试:抽速、压缩比等性能参数是分子泵设计之初就要首先考虑的,也是各项设计调整优化的重要目标。很终产品定型时,对外发布的各项参数和曲线,比如下图的抽速和压缩比曲线,都来自于这些测试的结果。这些测试都有相关的,在此不再展开描述。在泵处于垂直、水平和倒立状态时,各进行6次冲击测试所测试的泵在24次跌落后无任何问题(不发生转子机械接触,泵运行状态不变)。





在每次跌落后验证泵的不平衡性,结果表明变化,远阈值。抗振动测试通过对一批泵(处于运行和非运行条件下)进行一系列测试,证明对外部源产生振动的耐受性在105分钟的振动周期中,全转速和不运行的每个泵在垂、水平、倒立方向上受到0.5–2g加速度水平的振动。该测试证实了泵的稳定性以及耐振性,因为未观察到转子机械接触或泵运行状态的改变,且泵不平衡性仍然远阈值。





温度测试将泵置于–40°C至+70°C(处于非运行状态)以及0°C至40°C(处于运行状态)下暴露86小时。对每个泵的不平衡性和是否可正常操作验证11次,结果显示仅存在的变异,远阈值。温度测试证实了泵在各种预期运行和非运行温度条件下的稳定性。傅立叶振动分析在制造过程中以及泵运输前的很后测试中,对每台泵的振动频谱进行验证。全速下的平均很大振动水平:0.4m/s2。









半导体产业链IC制造行业属于典型的技术密集型行业,产品技术含量非常高,同时对配套产业要求较高,其中就包括真空设备配套产业。真空设备(真空阀、真空泵、真空腔体及管道等)是半导体各工艺制程环节必备的通用设备,广泛应用于芯片生产制造过程。 半导体制造设备及工艺流程半导体器件的生产制造工艺极其复杂,需要在高纯度硅片上执行一系列精密的物理或者化学操作,例如掺入相应的其它元素、形成多种金属薄膜和绝缘膜、进行表面的刻蚀处理等。





这些复杂的生产制造工艺都需要在分子泵维持的高真空环境下进行,而且对真空系统和真空设备的洁净度也有着很高的要求。分子泵在半导体设备中的应用.在半导体生产制造工艺中,分子泵广泛应用于光刻机、薄膜沉积设备、刻蚀设备、离子注入机等关键设备。光刻机光刻机是生产大规模集成电路的设备,制造和维护需要高度的光学和电子工业基础,世界上只有少数厂家掌握,因此光刻机价格昂贵。





光刻机光刻过程必须在高真空环境中实现,原因是极紫外光很娇贵,在空气中容易损耗。同时,在光刻过程中,设备的动作时间误差以皮秒计,这对磁悬浮分子泵的振动值要求极高。(注:皮秒=兆分之一秒)薄膜沉积指在晶圆表面生成多种薄膜,这些薄膜可以是绝缘体、半导体或导体。它们由不同的材料组成,是使用多种工艺生长或沉积的。







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