MBR1045CT采用俄罗斯米克朗(Mikron)高抗冲击能力芯片；其高抗冲击性能尤为显著，框架材质为100％纯铜材料，黑胶部分采用复合材料环氧塑脂材料一次性浇铸成型；采用台湾健鼎的一体化测试设备，减少人工操作环节.在工艺上:二极管制作是使用的健鼎一体化自动生产线设备,全程工艺由电脑控制，模具更为精密完全杜绝毛刺，外观光滑自然美观。
UL为美国安规认证
肖特基二极管原理
MBR1045CT采用俄罗斯米克朗(Mikron)高抗冲击能力芯片；其高抗冲击性能尤为显著，框架材质为100％纯铜材料，黑胶部分采用复合材料环氧塑脂材料一次性浇铸成型；采用台湾健鼎的一体化测试设备，减少人工操作环节.在工艺上:二极管制作是使用的健鼎一体化自动生产线设备,全程工艺由电脑控制，模具更为精密完全杜绝毛刺，外观光滑自然美观。
UL为美国安规认证，是世界上安全试验和鉴定机构整流桥
代表安全检检产品运作良率是世界上安全试验和鉴定机构
激光打标，解决油墨丝印易掉色问题，黑胶材质是采用进口环氧塑脂材料
我司技术力量雄厚，可协同用户研发、设计新产品，并可提供现场指导。
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ASEMI解析肖特基势垒二极管工作原理：
随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。
采用这种结构的SBD，击穿电压由PN结承受。通过调控N-区电阻率、外延层厚度和P+区的扩散深度，使反偏时的击穿电压突破了100V这个长期不可逾越的障碍，达到150V和200V。在正向偏置时，高压SBD的PN结的导通门限电压为0.6V，而肖特基势垒的结电压仅约0.3V，故正向电流几乎全部由肖特基势垒供给。
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