下游发展趋势
光刻胶的质量和性能是影响集成电路性能、成品率及可靠性的关键因素。光刻工艺的成本约为整个芯片制造工艺的35%，并且耗费时间约占整个芯片工艺的40%到50%。光刻胶材料约占IC制造材料总成本的4%，市场巨大。发展Futurrex在开发产品方面已经有很长的历史我们的客户一直在同我们共同合作，创造出了很多强势的专利产品。因此光刻胶是半导体集成电路制造的核心材料。20
NR9 1500PY光刻胶公司
下游发展趋势
光刻胶的质量和性能是影响集成电路性能、成品率及可靠性的关键因素。光刻工艺的成本约为整个芯片制造工艺的35%，并且耗费时间约占整个芯片工艺的40%到50%。光刻胶材料约占IC制造材料总成本的4%，市场巨大。发展Futurrex在开发产品方面已经有很长的历史我们的客户一直在同我们共同合作，创造出了很多强势的专利产品。因此光刻胶是半导体集成电路制造的核心材料。2016年半导体用光刻胶及配套材料市场分别达到14.5亿美元和19.1亿美元，分别较2015年同比增长9.0%和8.0%。预计2017和2018年半导体用光刻胶市场将分别达到15.3亿美元和15.7亿美元。随着12寸技术节点生产线的兴建和多次曝光工艺的大量应用，193nm及其它光刻胶的需求量将增加
光刻工艺重要性二
光刻胶的曝光波长由宽谱紫外向g线→i线→KrF→ArF→EUV(13.5nm)的方向移动。随着曝光波长的缩短，光刻胶所能达到的极限分辨率不断提高，光刻得到的线路图案精密度更佳，而对应的光刻胶的价格也更高。
光刻光路的设计，有利于进一步提升数值孔径，随着技术的发展，数值孔径由0.35发展到大于1。相关技术的发展也对光刻胶及其配套产品的性能要求变得愈发严格。
工艺系数从0.8变到0.4，其数值与光刻胶的产量有关。结合双掩膜和双刻蚀等技术，现有光刻技术使得我们能够用193nm的激光完成10nm工艺的光刻。
为了实现7nm、5nm制程，传统光刻技术遇到瓶颈，EUV(13.5nm)光刻技术呼之欲出，台积电、三星也在相关领域进行布局。EUV光刻光路基于反射设计，不同于上一代的折射，其所需光刻胶主要以无机光刻胶为主，如金属氧化物光刻胶。
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光刻胶编码
HS编码:
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3707100001 [类注] | [章注] | [子目注释]
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中文描述:
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不含银的感光乳液剂 （CIQ码：301:液体）
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英文描述:
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Non--0--silver light-sensitive emulsion agent
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申报要素:
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0.类型；1.出口享惠情况；2.用途；3.包装；4.成分；5.是否含银；6.；光刻胶去除半导体器件制造技术中，通常利用光刻工艺将掩膜板上的掩膜图形转移到半导体结构表面的光刻胶层中。7.型号；8.是否有感光作用（以下要素仅上海海关要求）9.GTIN；10.CAS
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申报要素举例:
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/ 1.感光剂；2.用途:感光材料，用于喷墨制版机；3.包装:瓶装；4.成分:重氮树脂94%以上；5.无；6.无型号
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单位:
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千克
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NR77-15000P
9，去胶:湿法去胶，用溶剂、用NONG硫酸。光刻工艺重要性二光刻胶的曝光波长由宽谱紫外向g线→i线→KrF→ArF→EUV(13。负胶，98%H2SO4+H2O2+胶=CO+CO2+H2O,
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