光刻胶分类
正性光刻胶和负性光刻胶
光刻胶可依据不同的产品标准进行分类。按照化学反应和显影的原理,光刻胶可分为正性光刻胶和负性光刻胶。如果显影时未曝光部分溶解于显影液,形成的图形与掩膜版相反,称为负性光刻胶;如果显影时曝光部分溶解于显影液,形成的图形与掩膜版相同,称为正性光刻胶。
在实际运用过程中,由于负性光刻胶在显影时容易发生变形和膨胀的情况,一般情况下分辨
负光阻光刻胶厂家
光刻胶分类
正性光刻胶和负性光刻胶
光刻胶可依据不同的产品标准进行分类。按照化学反应和显影的原理,光刻胶可分为正性光刻胶和负性光刻胶。如果显影时未曝光部分溶解于显影液,形成的图形与掩膜版相反,称为负性光刻胶;如果显影时曝光部分溶解于显影液,形成的图形与掩膜版相同,称为正性光刻胶。
在实际运用过程中,由于负性光刻胶在显影时容易发生变形和膨胀的情况,一般情况下分辨率只能达到 2 微米,因此正性光刻胶的应用更为广泛。
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光刻胶应用
光刻胶是一种具有光化学敏感性的功能性化学材料,是由光引发剂(包括光增感剂、光致产酸剂)、光刻胶树脂、单体(活性稀释剂)、溶剂和其他助剂组成的对光敏感的混合液体,其中,树脂约占50%,单体约占35%。它能通过光化学反应改变自身在显影液中的溶解性,通过将光刻胶均匀涂布在硅片、玻璃和金属等不同的衬底上,利用它的光化学敏感性,通过曝光、显影、刻蚀等工艺过程,将设计在掩膜版上的图形转移到衬底上。
光刻胶常被称为是精细化工行业技术壁垒的材料,是因为微米级乃至纳米级的图形加工对其化学品的要求极高,不仅化学结构特殊,要求也很苛刻,所以生产工艺复杂,需要长期的技术积累。
被广泛应用于光电信息产业的微细图形线路的加工制作,是电子制造领域的关键材料之一。下游主要用于集成电路、面板和分立器件的微细加工,同时在LED、光伏、磁头及精密传感器等制作过程中也有广泛应用,是微细加工技术的关键性材料。
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光刻胶的作用
光刻开始于-种称作光刻胶的感光性液体的应用。 图形能被映射到光刻胶上,然后用一个developer就能做出需 要的模板图案。光刻胶又称光致抗蚀剂,是以智能
管感光材料,在光的照射与溶解度发生变化。
光刻胶成份
光刻胶通常有三种成分:感光化台物、基体材料和溶剂。在感光化台物中有时还包括增感剂。根据光刻胶按照如何响应紫外光的特性可以分为两类:负性光刻胶和
正性光刻胶。
1、负性光刻胶
主要有聚酸系(聚酯胶)和环化橡胶系两大类
2、正性光刻胶
主要以重氮醒为感光化台物,以酚醛树脂为基体材料。正胶的主要优点是分辨率高,缺点是灵敏度、耐刻蚀性和附着性等较差。
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光刻胶:半导体技术壁垒的材料之一
光刻是整个集成电路制造过程中耗时长、难度大的工艺,耗时占IC制造50%左右,成本约占IC生产成本的1/3。光刻胶是光刻过程重要的耗材,光刻胶的质量对光刻工艺有着重要影响。
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