真空镀膜技术一般分为两大类，即物理气相堆积（PVD）技术和化学气相堆积（CVD）技术。
物理气相堆积技术具有膜/基结合力好、薄膜均匀细密、薄膜厚度可控性好、运用的靶材广泛、溅射规模宽、可堆积厚膜、可制取成分安稳的合金膜和重复性好等长处。一同，物理气相堆积技术由于其工艺处理温度可控制在500℃以下，因而可作为Z终的处理工艺用于高速钢和硬质合金类的薄膜刀具上。
真空镀膜
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真空镀膜技术一般分为两大类，即物理气相堆积（PVD）技术和化学气相堆积（CVD）技术。
物理气相堆积技术具有膜/基结合力好、薄膜均匀细密、薄膜厚度可控性好、运用的靶材广泛、溅射规模宽、可堆积厚膜、可制取成分安稳的合金膜和重复性好等长处。一同，物理气相堆积技术由于其工艺处理温度可控制在500℃以下，因而可作为Z终的处理工艺用于高速钢和硬质合金类的薄膜刀具上。
真空镀膜技能一般分为两大类，即物理气相堆积（PVD）技能和化学气相堆积（CVD）技能。
物理气相堆积技能具有膜/基结合力好、薄膜均匀致密、薄膜厚度可控性好、应用的靶材广泛、溅射规模宽、可堆积厚膜、可制取成分稳定的合金膜和重复性好等优点。
化学气相堆积技能是把含有构成薄膜元素的单质气体或化合物供应基体，凭借气相作用或基体外表上的化学反应，在基体上制出金属或化合物薄膜的办法，主要包含常压化学气相堆积、低压化学气相堆积和兼有CVD和PVD两者特点的等离子化学气相堆积等。
真空镀膜加工的基本技能要求
9、真空室接不同电位的各部分间的绝缘电阻值的巨细，均按GB/T11164-1999中的4.4.6
10、其他注意事项
1）环境温度：10-30oC2）相对湿度：不大于75% 3）冷却水进水温度：不高于25oC 4）冷却水质：城市自来水或相当质量的水。 5）供电电源：380V三相50Hz或220V单相50Hz(由所用电器需求而定)；电压波动范围：342-399V或198-231V；频率波动范围：49-51Hz。6）设备所需的压缩空气，液氮，冷水、热水等的压力、温度，消耗量等，均应在产品运用说明书中写明。7）设备周围环境整齐，空气清洁，不应有引起电器及其他金属件表面腐蚀或引起金属间导电的尘埃或气体存在。
目前，薄膜制程技术广泛应用于半导体工业及精密机械上，由于利用薄膜制程技术所生产的产品具有很高附加价值，使薄膜制程技术与薄膜材料被广泛应用于研究和实际，同时带来镀膜技术的迅速发展。通常，镀膜方法主要包括离子镀膜法、磁控溅镀、真空蒸发法、化学气相沉积法等。然而，随着集成电路的密集及微型化，精密机械的精度提升，对于镀膜厚度要求愈渐严苛。
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