含镁大于2%的合金不能用。在高温，一些金属起加速CF4分解的催化作用。按其催化作用增长的次序由小到大地排列则如下：因科镍合金、奥氏体不锈钢、镍、钢、铝、铜、青铜、黄铜、银。四氟化1碳是目前微电子工业中用量大的等离子蚀刻气体，其高纯气及四氟化1碳高纯气配高纯氧气的混合体，可广泛应用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及钨薄膜材料的蚀刻。将其通过装有氢1氧化钠溶液的
四氟化碳厂
含镁大于2%的合金不能用。在高温，一些金属起加速CF4分解的催化作用。按其催化作用增长的次序由小到大地排列则如下：因科镍合金、奥氏体不锈钢、镍、钢、铝、铜、青铜、黄铜、银。四氟化1碳是目前微电子工业中用量大的等离子蚀刻气体，其高纯气及四氟化1碳高纯气配高纯氧气的混合体，可广泛应用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及钨薄膜材料的蚀刻。将其通过装有氢1氧化钠溶液的洗气瓶除去四氟1化硅，随后通过硅胶和五氧1化二磷干燥塔得到终产品。由于化学稳定性极强，CF4还可以用于金属冶炼和塑料行业等。
由碳与氟反应，或一氧4化碳与氟反应，或碳化硅与氟反应，或氟石与石油焦在电炉里反应，或二氟二氯甲4烷与氟4化氢反应，或四氯4化碳与氟化银反应，或四氯4化碳与氟化4氢反应，都能生成四氟化碳。在电子器件表面清洗、太阳能电池的生产、激光技术、气相绝缘、低温制冷、泄漏检验剂、控制宇宙火箭姿态、印刷电路生产中的去污剂等方面也大量使用。对于硅和二氧化硅体系，采用CF4-O2反应离子刻蚀时，通过调节两种气体的比例，可以获得45：1的选择性，这在刻蚀多晶硅栅极上的二氧化硅薄膜时很有用。
产品经除尘，碱洗除去HF、CoF2、SiF4、CO2等杂质、再经脱水可获得含量约为85%的粗品。将粗品引入低温精馏釜中进行间歇粗馏，通过控制精馏温度，除去O2、N2、H2，得到高纯CF4。四氟化碳贮存注意事项：气瓶不得靠近火源，不得受日光曝晒，与明火距离一般应该不小于10米，气瓶不得撞击。气瓶的瓶子严禁沾染油脂。由碳与氟反应，或与氟反应，或碳化硅与氟反应，或氟石与石油焦在电炉里反应，都能生成四氟化碳。
在填有氢氧化铬的高温镍管中进行，反应后的气体经水洗、碱洗除去酸性气体，再通过冷冻，用硅胶除去气体中的水分，经精馏而得成品。四氟化碳（CF4）在电离后会产生含成分的刻蚀性气相等离子体，能够对各种有机表面实现刻蚀及有机物去除，在晶圆制造、线路板制造、太阳能电池板制造等行业中被广泛应用。在范围内，高纯度四氟化碳应用于欧洲、亚太地区、北美、中东、非洲和南美洲等地区，受电子产业发展程度不同影响，对于高纯度四氟化碳的需求也不同，亚洲地区由于电子产业发展落后，近几年电子电器行业处于发展状态，因此使得该地区的高纯度四氟化碳消费量持续攀升。
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