（1）在连续性的批量化学抛光作业中，要获得比较稳定的抛光效果，就必须对受热易分解或消耗量大的溶液组分进行及时的补充和调整。何时补加，多长时间补一次，每次补多少，均要由具体情况（如抛光制件的多少，抛光溶液的组成等）酌情控制。直观的依据是抛光表面的光亮度变化情况，即依抛光效果来调整。
（2）化学抛光液的酸值一般应稳定在1.5~2.5之间。
（3）化学抛光作业中，抛光溶液
三酸抛光工艺
（1）在连续性的批量化学抛光作业中，要获得比较稳定的抛光效果，就必须对受热易分解或消耗量大的溶液组分进行及时的补充和调整。何时补加，多长时间补一次，每次补多少，均要由具体情况（如抛光制件的多少，抛光溶液的组成等）酌情控制。直观的依据是抛光表面的光亮度变化情况，即依抛光效果来调整。
（2）化学抛光液的酸值一般应稳定在1.5~2.5之间。
（3）化学抛光作业中，抛光溶液中的铁含量呈累积性的增加。当铁含量过高时，抛光质量及工效均会相应降低。有文献指出，补加一些易损耗组分后，若溶液的抛光效果还不能明显改善时，即可认为该溶液中的铁含量过高。这时就应该弃旧换新了。比较成熟的经验，是抛光溶液中铁的含量不得高于35g/L
依据机械加工原理、半导体材料工程学、物力化学多相反应多相催化理论、表面工程学、半导体化学基础理论等，对硅单晶片化学机械抛光（CMP）机理、动力学控制过程和影响因素研究标明，化学机械抛光是一个复杂的多相反应，它存在着两个动力学过程：（1）抛光首先使吸附在抛光布上的抛光液中的氧化剂、催化剂等与衬底片表面的硅原子在表面进行氧化还原的动力学过程。这是化学反应的主体。（2）抛光表面反应物脱离硅单晶表面，即解吸过程使未反应的硅单晶重新出来的动力学过程。它是控制抛光速率的另一个重要过程。硅片的化学机械抛光过程是以化学反应为主的机械抛光过程，要获得质量好的抛光片，必须使抛光过程中的化学腐蚀作用与机械磨削作用达到一种平衡。如果化学腐蚀作用大于机械抛光作用，则抛光片表面产生腐蚀坑、桔皮状波纹。如果机械磨削作用大于化学腐蚀作用，则表面产生高损伤层。
硅材料抛光液、蓝宝石抛光液、抛光液、铌酸锂抛光液、锗抛光液、集成电路多次铜布线抛光液、集成电路阻挡层抛光液、研磨抛光液、电解抛光液、不锈钢电化学抛光液、不锈钢抛光液、石材纳米抛光液、氧化铝抛光液、铜化学抛光液、铝合金抛光液、镜面抛光液、铜抛光液、玻璃研磨液、蓝宝石研磨液等，本品用于304、321、316、201、202、420、430等各种型号的不锈钢电解抛光时使用，使用成本低，效果明显，可达镜面光亮效果，不锈钢抛光后光泽持久、美观大方、增加了产品的附加值。
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