光刻胶的相关信息
利用这种性能，将光刻胶作涂层，就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。基于感光树脂的化学结构，光刻胶可以分为三种类型。
光聚合型采用烯类单体，在光作用下生成自由基，自由基再进一步引发单体聚合，后生成聚合物，具有形成正像的特点。光分解型采用含有叠氮醌类化合物的材料，经光照后,会发生光分解反应,由油溶性变为水溶性，可以制成正性胶。光交联型采用聚乙烯醇月桂酸酯
NR27 25000P光刻胶价格
光刻胶的相关信息
利用这种性能，将光刻胶作涂层，就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。基于感光树脂的化学结构，光刻胶可以分为三种类型。
光聚合型采用烯类单体，在光作用下生成自由基，自由基再进一步引发单体聚合，后生成聚合物，具有形成正像的特点。光分解型采用含有叠氮醌类化合物的材料，经光照后,会发生光分解反应,由油溶性变为水溶性，可以制成正性胶。光交联型采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,其分子中的双键被打开，并使链与链之间发生交联，形成一种不溶性的网状结构，而起到抗蚀作用，这是一种典型的负性光刻胶。柯达公司的产品KPR胶即属此类。
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光刻胶的相关内容
光刻胶必须满足几个硬性指标要求：高灵敏度，高对比度，好的蚀刻阻抗性，高分辨力，易于处理，高纯度，长寿命周期，低溶解度，低成本和比较高的玻璃化转换温度（Tg）。主要的两个性能是灵敏度和分辨力。
感光胶的主要成分是树脂或基体材料、感光化合物以及可控制光刻胶机械性能并使其保持液体状态的溶剂。树脂在曝光过程中改变分子结构。感光化合物控制树脂定相的化学反应速度。溶剂使得胶能在圆片上旋转擦敷并形成薄瞙。没有感光化合物的光刻胶称为单成分胶或单成分系统，有一种感光剂的情形下，称为二成分系统。因为溶剂和其他添加物不与胶的感光反应发生直接关系，它们不计入胶的成分。
在曝光过程中，正性胶通过感光化学反应，切断树脂聚合体主链和从链之间的联系，达到削弱聚合体的目的，所以曝光后的光刻胶在随后显影处理中溶解度升高。曝光后的光刻胶溶解速度几乎是未曝光的光刻胶溶解速度的10倍。而负性胶，在感光反应过程中主链的随机十字链接更为紧密，并且从链下坠物增长，所以聚合体的溶解度降低。见正性胶在曝光区间显影，负性胶则相反。负性胶由于曝光区间得到保留，漫射形成的轮廓使显影后的图像为上宽下窄的图像，而正性胶相反，为下宽上窄的图像。
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光刻胶分类
1、负性光刻胶
主要有聚酸系(聚酮胶)和环化橡胶系两大类，前者以柯达公司的KPR为代表，后者以OMR系列为代表。
2、正性光刻胶
主要以重氮醒为感光化台物，以酚醛树脂为基本材料。的有AZ-1350系列。正胶的主要优点是分辨率高，缺点是灵敏度、耐刻蚀性和附着性等较差。
3、负性电子束光刻胶
为含有环氧基、乙烯基或环硫化物的聚合物。 的是COP胶，典型特性:灵敏度0.3~0.4μC/cm^2 (加速电压10KV时)、分辨率1.0um、 对比度0.95。限制分辨率
的主要因素是光刻胶在显影时的溶胀。
4、正性电子束光刻胶
主要为甲酯、烯砜和重氮类这三种聚合物。的是PMMA胶，典型特性:灵敏度40~ 80μC/cm^2 (加速电压20KV时)、分辨率0.1μm、 对比度2~3。
PMMA胶的主要优点是分辨率高。主要缺点是灵敏度低，此外在高温下易流动，耐干法刻蚀性差。
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光刻胶市场空间
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光刻胶市场空间与半导体的分不开。2012-2018年半导体市场规模复合增速8.23%，在半导体行业的发展下，半导体光刻胶市场持续增长。
而，因半导体、液
