. 一种耐高温白色曝光显影油墨，其特征在于：该耐高温白色曝光显影油墨为双组分 油墨，由A组分和B组分组成，A组分和B的重量配比为： A组分:树脂10-20份，聚酯树脂20-30份，填料5-10份，钛40-55份，助剂1-2 份，光引发剂5-8份，3-10份； B组分:封闭型固化剂78-82份，偶联剂18-22份。根据权利要求1所述的耐高温白色曝光显影油墨，其特征在于:所述树脂为不 黄变的羧基化
曝光显影工艺
. 一种耐高温白色曝光显影油墨，其特征在于：该耐高温白色曝光显影油墨为双组分 油墨，由A组分和B组分组成，A组分和B的重量配比为： A组分:树脂10-20份，聚酯树脂20-30份，填料5-10份，钛40-55份，助剂1-2 份，光引发剂5-8份，3-10份； B组分:封闭型固化剂78-82份，偶联剂18-22份。根据权利要求1所述的耐高温白色曝光显影油墨，其特征在于:所述树脂为不 黄变的羧基化树脂且可溶于碱性溶液。曝光显影工艺
以前我做过感光板，效果都很好，显影之后清洗完成马上腐蚀，腐蚀时间的也就5分钟搞定，如果三氯化铁浓度高，温度高的话，一般2分钟内完成腐蚀。
前几天又用感光板做电路，显影以后，由于三氯化铁溶液没有准备好，所以先在太阳下暴晒（增加感光膜硬度），然后放置了2天，今天腐蚀，然而三氯化铁温度，浓度都相当可以，但是腐蚀效果非常差，前后用时有20分钟，下面是图片。贴片IC的脚印之间我用小刀刻过，防止腐蚀后短路，还有几处腐蚀速度很快也是因为我用刀修理过。剩下的地方腐蚀速度差异非常大。原因我考虑可能是显影以后铜膜钝化了，所以和三氯化铁接触不良导致。有遇到过这样情况的帮我分析一下，解决一下，不胜感激涕零无数！
曝光显影工艺
曝光显影的曝光光源：高压灯、准分子激光器、X射线及电子束；曝光后烘焙（PEB）：驻波是使用光学曝光和正性光刻胶时出现的问题，一种减少驻波效应的方法是在曝光后烘焙晶圆，PEB的时间和温度的规格是烘焙方法、曝光条件以及光刻胶化学所决定的。曝光速度、灵敏性和曝光源：反应速度越快，在光刻蚀区域晶圆的加工速度越快；灵敏性是与导致聚合或者光溶解发生所需要的能量总和相关的； 曝光显影工艺
一种光刻工艺的显影方法，包括：提供半导体晶片，在所述半导体晶片上具有光敏材料层；向所述光敏材料层喷洒显影液，使显影液布满整个光敏材料层表面；保持所述半导体晶片静止T时间或间歇性旋转所述半导体晶片，显影液与光敏材料层中的可溶解区域反应，使所述可溶解区域的光敏材料溶解；向所述光敏材料层喷洒去离子水，并旋转所述半导体晶片，使溶解有光敏材料的显影液和多余的显影液被甩出半导体晶片边缘之外；其中，在开始向所述光敏材料层喷洒去离子水时以及之后的60s内，所述半导体晶片的旋转速率小于或等于100rpm。本发明能够减少或消除半导体晶片表面的光刻胶残留的缺陷。曝光显影工艺
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