ABS210ASEMI贴片整流桥2A贴片小桥堆
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ABS210，采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防电性衰降，传导性能提升40%。ABS210是一款贴片桥堆，采用GPP芯片材质，里面有4颗芯片组成，芯片尺寸都是50MIL。它的电性参数是：正向电流（Io）为2.0A，反向耐压为1000V，正向电压（VF）为1.1V，它的浪涌电流Ifsm为30A，
充电桩整流桥堆6级能效
ABS210ASEMI贴片整流桥2A贴片小桥堆
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ABS210，采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防电性衰降，传导性能提升40%。ABS210是一款贴片桥堆，采用GPP芯片材质，里面有4颗芯片组成，芯片尺寸都是50MIL。它的电性参数是：正向电流（Io）为2.0A，反向耐压为1000V，正向电压（VF）为1.1V，它的浪涌电流Ifsm为30A，漏电流（Ir）为5uA、工作温度在-40°~+150℃，恢复时间（Trr）达到500ns，其中有4条引线。
ABS210从工艺就保证产品的持续稳定质量性，自动化设备支持注塑一步成型，强元芯12年如一日，选择强元芯，让您更放心
充电桩整流桥堆6级能效2W10整流圆桥ASEMI首芯
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ASEMI2W10电性参数为正向电流2.0A，反向电压1000V，芯片尺寸为60MIL芯片，其芯片采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防电性衰降，框架引脚采用无氧铜材料，内阻小导电性好，镀锡防氧化。它的浪涌电流为60A，漏电流为5uA、工作温度在--55~+150℃。ASEMI2W10整流圆桥主要应用于小电流领域产品：小功率开关电源，充电器，电源适配器，LED灯整流器、小家电等相关电器产品。
充电桩整流桥堆6级能效DB207插件整流桥2A1000VASEMI
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ASEMI旗下的DB207整流桥，电性参数 2A 1000V，ASEMI均采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防电性衰降，具有耐高抗浪涌冲击的优势，开机瞬间百倍电流电压依然稳定工作，不发热不炸机。采用GPP波峰60MIL大芯片，GPP芯片制造的整流桥一般体现在抗电流电压浪涌冲击,离散性,参数一致性，能耗差异等等方面。
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