曝光显影在3D玻璃盖板印刷装饰工艺中的应用，
什么是曝光显影工艺？
不同的物质通过对不同波长紫外光的吸收，分子会发生能级跃迁，从基态跃迁至激发态，改变物质化学性能。
精度控制工艺点
由于3D曲面CG玻璃需要和中框的结合，但是3D曲面CG玻璃本身物理加工又存在难以去除的公差，在进行曝光工艺加工时工艺误差区间被压缩，
亮面标牌曝光显影定制
光刻工艺的主要步骤如下(1)对半导体晶
亮面标牌曝光显影定制
曝光显影在3D玻璃盖板印刷装饰工艺中的应用，
什么是曝光显影工艺？
不同的物质通过对不同波长紫外光的吸收，分子会发生能级跃迁，从基态跃迁至激发态，改变物质化学性能。
精度控制工艺点
由于3D曲面CG玻璃需要和中框的结合，但是3D曲面CG玻璃本身物理加工又存在难以去除的公差，在进行曝光工艺加工时工艺误差区间被压缩，
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光刻工艺的主要步骤如下(1)对半导体晶片(Wafer)进行清洗，并使用增黏剂进行成膜处理；(2)在所述半导体晶片上通过旋涂的方法形成光刻胶层；(3)执行软烘烤(soft bake)工艺，去除所述光刻胶层中的溶剂，并增加所述光刻胶层在半导体晶片表面的粘附性；(4)将所述半导体晶片传送至曝光设备，通过一系列对准动作后，对所述半导体晶片表面的光刻胶层进行曝光，掩膜版上预定好的图案通过曝光可以转移到所述光刻胶层上；亮面标牌曝光显影定制
显影后执行硬烤(Hard Bake)工艺，即可形成光刻胶图案。在上述光刻工艺中，显影工艺通过溶解被曝光的光刻胶区域，形成了光刻胶图案。 但是，被曝光区域的光刻胶会由于溶解不充分而产生光刻胶残留缺陷，如出现类似于如图1 所示的sunflower缺陷或者光刻胶残留互连现象，影响后续的刻蚀或离子注入工艺，造成形成的半导体器件的稳定性下降，影响其电学性能。亮面标牌曝光显影定制
光刻工艺流程溶解掉不需要的光刻胶（显影）丨半导体行业 显影时间。在光刻胶表面的显影液被清洗之前，显影液一直在和光刻胶进行反应。显影程度随显影时间的增加而变化。当然，在新的显影液中显影速率会高一些，随着显影的持续进行，显影液的浓度逐渐下降，显影的速率也会略微下降。为了便于生产控制，保证显影的一致性，一般会在显影速率发生明显变化前更换掉显影液。亮面标牌曝光显影定制
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