四元泵（G1354A）
通过高速比例阀控制形成低压四元梯度混合，标准配置在线真空脱气机。
流速范围：0.001~10mL/min, 0.001mL/min 步进
压力范围：0~40 Mpa（0~400bar，0~5880psi），<5mL/min；
0~20 Mpa（0~200bar，0~2950psi），0~10mL/min
梯度组成精度：
二手1200液相价格
四元泵（G1354A）
通过高速比例阀控制形成低压四元梯度混合，标准配置在线真空脱气机。
流速范围：0.001~10mL/min, 0.001mL/min 步进
压力范围：0~40 Mpa（0~400bar，0~5880psi），<5mL/min；
0~20 Mpa（0~200bar，0~2950psi），0~10mL/min
梯度组成精度：<0.20% SD（0.2 及 1mL/min）
梯度组成比例范围：0~95% 或 5~
梯度延迟体积：800~1100μL（与反压相关）
在线真空脱气机（G1322A/G1379B）
四通路在线真空膜过滤技术，内置真空泵，压力传感器，实时监控真空腔压力变化，保
证及时的脱气操作。
真空维持：
G1322A 自动监测真空状态，真空降低，自动启动真空泵，有效维持真空度。
G1379B 连续真空运行，有效降低液流脉动，适配低流速液相色谱系统。
大流速：每一通路 10mL/min（G1322A）；5.0mL/min（G1379B）
内体积：每一通路 12mL （G1322A）；1.0mL（G1379B）
pH 耐受范围：1~14
自动进样器相同指标
Agilent 1200 自动进样器具的流路设计，采用高压、阀进样技术。使用微型计量泵
准确控制取样体积，进样后， 进样针始终置于流路中，即，在分析过程中，针内始终有流
动相流过，保证小样品残留量；通过工作站，可启动洗针程序，自动清洗进样针的外壁，
因此可将样品在进样针中的残留降低。采用高压进样设计，进样速度快，且进样系统中
残留小。
实现晶体的外延生长。这种技术可以生长Si、GaAs、GaAlAs、GaP等半导体材料以及石榴石等磁性材料的单晶层,用以做成各种光电子器件、微波器件、磁泡器件和半导体激光器等 [1] 。液相外延由尼尔松于1963年发明，成为化合物半导体单晶薄层的主要生长方法，被广泛的用于电子器件的生产上。薄层材料和衬底材料相同的称为同质外延，反之称为异质外延。液相外延可分为倾斜法、垂直法和滑舟法三种。
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