超低的交叉污染：1260 Infinity II Multisampler 的多重清洗功能可在运行之间清洗所有相关的进样部件，并使用针座反冲程序用三种溶剂冲洗进样针外部，使残留降至 10 ppm 以下缩短分析周期：采用的安捷伦双针头设计，可以通过两个进样通道交替运行样品。可将分析周期缩短至数秒钟，几乎消除了传统的等待时间 — 无论大体积上样还是执行冲洗步骤
低温硅液相外延：低温外
1260液相厂商
超低的交叉污染：1260 Infinity II Multisampler 的多重清洗功能可在运行之间清洗所有相关的进样部件，并使用针座反冲程序用三种溶剂冲洗进样针外部，使残留降至 10 ppm 以下缩短分析周期：采用的安捷伦双针头设计，可以通过两个进样通道交替运行样品。可将分析周期缩短至数秒钟，几乎消除了传统的等待时间 — 无论大体积上样还是执行冲洗步骤
低温硅液相外延：低温外延是硅器件制造的总体趋势.在硅LPE中,由于新的溶剂(主要是Ag,Au及其合金)不断发现,大大降低了硅LPE的温度.金对硅的溶解度就是在400℃也能达到15at.%以上,Ag在845℃也有11at.%的Si含量.又因金在硅中的固溶度在800℃才达到影响光生载流子寿命的阈值,而当生长温度500℃时,Au在硅中的固溶度不到1012cm-3。
LPE的硅外延层,以其良好的电学、光学及其生长特性,而在CVD无法胜任的领域应用前景诱人.目前,取得较为成功的方面有:(1)垂直沟道的场控制器件中的埋栅制造及沟道的外延再填;(2)太阳能电池;(3)超晶格器件;(4)三维集成技术 [1] .场控制器件：CVD在硅器件的埋结制造中,因自掺杂而出现埋层尺寸增加,密排栅极叉指制造也受到严重影响,而LPE因其可以消除自掺杂,而在这方面得到应用,尤其对硼扩散的埋栅区域的埋结制造,其优点更为明显 [1] .
安捷伦 1260 Infinity 柱温箱
1、温度范围：从室温 10℃ 到 80℃
2、温度稳定性：± 0.15℃
3、控温准确度：± 0.8℃，校准后 ± 0.5℃
4、色谱柱容量：三支 30 cm 的色谱柱
5、加热；冷却到设定温度的时间
从室温到 40℃，需要 5 分种
从 40℃到 20℃需要 10 分钟
6、内部体积：左热交换器 3 μL；右热交换器 6 μL
7、GLP：色谱柱识别模块，用于 GLP 记录色谱柱类型
性能指标对于室温下（25 ℃）的蒸馏水，温度设定为 40 ℃ ，流速范围从 0.1 到 5.0 mL/min时有效。
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