碳化硅（SiC）是第三代化合物半导体材料。半导体产业的根基是芯片，制做芯片的关键原材料依照历史背景分成：一代半导体材料（绝大多数为现阶段普遍应用的高纯硅），二代化合物半导体材料（、磷化铟），第三代化合物半导体材料（碳化硅、渗氮）。碳化硅因其优异的工艺性能：高带隙（相匹配高穿透静电场和高功率）、高导电率、高导热系数，将是将来较被普遍应用的制做半导体材料芯片的基本原材料
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碳化硅（SiC）是第三代化合物半导体材料。半导体产业的根基是芯片，制做芯片的关键原材料依照历史背景分成：一代半导体材料（绝大多数为现阶段普遍应用的高纯硅），二代化合物半导体材料（、磷化铟），第三代化合物半导体材料（碳化硅、渗氮）。碳化硅因其优异的工艺性能：高带隙（相匹配高穿透静电场和高功率）、高导电率、高导热系数，将是将来较被普遍应用的制做半导体材料芯片的基本原材料。
碳化硅可作为磨料，如砂轮，油石，磨头，砂瓦类等，做磨料磨具领域还可以制造砂轮，砂纸，砂带，油石，磨块，磨头，研磨膏及光伏产品中单晶硅，多晶硅和电子行业的压电晶体等方面的研磨，抛光等。
碳化硅可作为冶金脱氧剂和耐高温材料。可用于做半导体，制作碳化硅纤维，可以用于3~12英寸单晶硅，多晶硅，石英晶等线切割。太阳能光伏产业，半导体产业，压电机晶体产业工程性加工材料。
碳化硅可用来炼钢脱氧剂和铸铁组织的改良剂，可用来做原料，是硅树脂工业的主要原料。碳化硅是一种新型的强复合剂，取代了传统的硅粉碳粉进行脱氧，和原工艺相比更加稳定，脱氧效果好，使脱氧时间缩短，提高炼钢效率，提高钢的质量，降低原辅材料的消耗，减少环境的污染，提高电炉的综合经济效益都具有重要价值。
生产黑色碳化硅时所得到的，在其物相的组成上也是不均一的。和无定形物紧接着的层，由类似碳素材料的碳化硅(带有石墨夹杂)和碳化硅的细结晶集合体所构成，偶而能见到没有完全硅化的碳素材料颗粒。和氧碳化硅区紧接着的桔核层，同样也由碳化硅的假晶和细结晶集合体所构成，但是它们，照例是混杂在折光率高的(N=1.53～1.62)泡沫状玻璃内的。这一点证明了，在玻璃内除了氧化硅之外还有大量的氧化铝和氧化钙在玻璃中可以看到生成的钙斜长石CaO.A12O3.2SiO,和假硅灰石CaO.SiO2。可以明显地看到碳化硅被玻玻璃分解之后所形成的气相，这种气相被夹在玻璃的中间，而使它具有多孔的构造。
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