避免流动相中产生气泡的zui佳方式是将流动相经脱气装置进行脱气。如果没有脱气装置，则可以在流动相溶剂瓶中通入氦气进行脱气。也可以在检测器的出口端加一根细管线以调节流动池中的背压，但必须注意不要超过流动池的zui大压力，否则会造成流动池漏液或流动池损坏。如果流动池中出现气泡，则先摘下色谱柱，用一根管线直接将流动相接入检测器的入口。将以较大的流速注入流动池。直到基线上看不到毛刺为止。气
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避免流动相中产生气泡的zui佳方式是将流动相经脱气装置进行脱气。如果没有脱气装置，则可以在流动相溶剂瓶中通入氦气进行脱气。也可以在检测器的出口端加一根细管线以调节流动池中的背压，但必须注意不要超过流动池的zui大压力，否则会造成流动池漏液或流动池损坏。如果流动池中出现气泡，则先摘下色谱柱，用一根管线直接将流动相接入检测器的入口。将以较大的流速注入流动池。直到基线上看不到毛刺为止。气泡就应该清除掉了。
1.技术要求1.1四元梯度泵1.1.1 串联式双柱塞往复泵，流量准确度<1%；非皮带传动； 1.1.220-100 uL自动连续可变冲程，主动电磁阀控制；（在软件中设定，需要提供软件截图并盖厂家公章作为证明材料）及主动入口阀设计）1.1.3压力：0-580bar； 1.1.4流量范围：0~10.0ml/min，递增率0.001ml/min；1.1.5流量精度：RSD <0.07%同时满足SD< 0.005min；1.1.6压力脉动：在整个压力范围内，1ml/mi。
LPE的硅外延层,以其良好的电学、光学及其生长特性,而在CVD无法胜任的领域应用前景诱人.目前,取得较为成功的方面有:(1)垂直沟道的场控制器件中的埋栅制造及沟道的外延再填;(2)太阳能电池;(3)超晶格器件;(4)三维集成技术 [1] .场控制器件：CVD在硅器件的埋结制造中,因自掺杂而出现埋层尺寸增加,密排栅极叉指制造也受到严重影响,而LPE因其可以消除自掺杂,而在这方面得到应用,尤其对硼扩散的埋栅区域的埋结制造,其优点更为明显 [1] .
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