光刻胶工艺
普通的光刻胶在成像过程中，由于存在一定的衍射、反射和散射，降低了光刻胶图形的对比度，从而降低了图形的分辨率。随着曝光加工特征尺寸的缩小，入射光的反射和散射对提高图形分辨率的影响也越来越大。光刻胶存储条件及操作防护光刻胶是一种可燃液体，储存条件应符合对应的法规，不要与强氧化剂混合，存放在通风良好的地方，保持容器密闭，避免吸入蒸汽或雾气，避免接触眼睛、皮肤或衣服，
NR9 3000PY光刻胶厂家
光刻胶工艺
普通的光刻胶在成像过程中，由于存在一定的衍射、反射和散射，降低了光刻胶图形的对比度，从而降低了图形的分辨率。随着曝光加工特征尺寸的缩小，入射光的反射和散射对提高图形分辨率的影响也越来越大。光刻胶存储条件及操作防护光刻胶是一种可燃液体，储存条件应符合对应的法规，不要与强氧化剂混合，存放在通风良好的地方，保持容器密闭，避免吸入蒸汽或雾气，避免接触眼睛、皮肤或衣服，操作后清洗。为了提高曝光系统分辨率的性能，Futurrex 的光刻胶正在研究在曝光光刻胶的表面覆盖抗反射涂层的新型光刻胶技术。该技术的引入，可明显减小光刻胶表面对入射光的反射和散射，从而改善光刻胶的分辨率性能，但由此将引起工艺复杂性和光刻成本的增加。
光刻胶市场
我国光刻胶市场规模2015年已达51.7亿元，同比增长11%，高于国际市场增速，但占比仍不足15%，发展空间巨大。2015年我国光刻胶产量为9.75万吨，而需求量为10.12万吨，依照需求量及产量增速预计，未来仍将保持供不应求的局面。据智研咨询估计，得益于我国平面显示和半导体产业的发展，我国光刻胶市场需求，在2022年可能突破27.2万吨。坚膜温度通常情况高于前烘和曝光后烘烤的温度100-140度10-30min7，显影检验光刻胶钻蚀、图像尺寸变化、套刻对准不良、光刻胶膜损伤、线条是否齐、陡小孔、小岛。在光刻胶生产种类上，我国光刻胶厂商主要生产PCB光刻胶，而LCD光刻胶和半导体光刻胶生产规模较小，相关光刻胶主要依赖进口。放眼国际市场，光刻胶也主要被美国Futurrex 的光刻胶、日本合成橡胶（JSR）、东京应化（TOK）、住友化学、美国杜邦、德国巴斯夫等化工寡头垄断。
光刻胶京东方
事实上，我国是在缺乏经验、缺乏技术人才，缺失关键上游原材料的条件下，全靠自己摸索。近年来，尽管光刻胶研发有了一定突破，但国产光刻胶还是用不起来。曝光方法：a、接触式曝光（ContactPrinting）掩膜板直接与光刻胶层接触。目前，国外阻抗已达到15次方以上，而国内企业只能做到10次方，满足不了客户工艺要求和产品升级的要求，有的工艺虽达标了，但批次稳定性不好。
“10次方的光刻胶经过多次烘烤，由于达不到客户需求的防静电作用，不能应用到新一代窄边框等面板上。而国外做到15次方就有了很好的防静电作用。这还是我们的光刻胶材料、配方、生产工艺方面存在问题。”李中强说。
关键指标达不到要求，国内企业始终受制于人。就拿在国际上具有一定竞争实力的京东方来说，目前已建立17个面板显示生产基地，其中，有16个已经投产。但京东方用于面板的光刻胶，仍然由国外企业提供。
发展
Futurrex在开发产品方面已经有很长的历史
我们的客户一直在同我们共同合作，创造出了很多强势的产品。
在晶体管(transistor) ，封装，微机电。显示器，OLEDs，波导(waveguides) ，VCSELS，
成像，电镀，纳米碳管，微流体，芯片倒装等方面。我们都已经取得一系列的技术突破。
目前Futurrex有数百个技术在美国商标局备案。
Futurrex 产品目录
正性光刻胶
增强粘附性正性光刻胶
负性光刻胶
增强粘附性负性光刻胶
工艺负性光刻胶
用于lift-off工艺的负性光刻胶
非光刻涂层
平坦化，保护、粘接涂层
氧化硅旋涂(spin-on glas)
掺杂层旋涂
辅助化学品
边胶清洗液
显影液
去胶液
Futurrex所有光刻产品均无需加增粘剂(HMDS)
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