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了解了肖特基二极管的基本原理，那你知道肖特基势垒二极管的内部结构是怎样的吗？接下来就由ASEMI技术工程师为您解析这一问题。
典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用shen作掺杂剂的N-外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅(SiO2)来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通
肖特基二极管正负
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了解了肖特基二极管的基本原理，那你知道肖特基势垒二极管的内部结构是怎样的吗？接下来就由ASEMI技术工程师为您解析这一问题。
典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用shen作掺杂剂的N-外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅(SiO2)来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高倍。
什么是肖特基二极管？有何特点意义？
SBD具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，仅约100V，以致于限制了其应用范围。像在开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V～1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等，只有使用恢复外延二极管（FRED）和超恢复二极管（UFRD）。目前UFRD的反向恢复时间Trr也在20ns以上，根本不能满足像空间站等领域用1MHz～3MHz的SMPS需要。即使是硬开关为100kHz的SMPS，由于UFRD的导通损耗和开关损耗均较大，壳温很高，需用较大的散热器，从而使SMPS体积和重量增加，不符合小型化和轻薄化的发展趋势。因此，发展100V以上的高压SBD，一直是人们研究的课题和关注的热点。近几年，SBD已取得了突破性的进展，150V和200V的高压SBD已经上市，使用新型材料制作的超过1kV的SBD也研制成功，从而为其应用注入了新的生机与活力。
【ASEMI讲解肖特基二极管的命名】
肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，
完整的叫法是：肖特基整流二极管（Schottky Rectifier Diode 缩写成SR），
也有人叫做：肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode 缩写成SBD）的简称。
肖特基：Schottky
整流：Rectifier
SR:即为肖特基整流二极管
Schottky Rectifier Diode:肖特基整二极管，简称：SR,比如：SR107,SR10100CT……
势垒：Barrier
SB:即为肖特基势垒二极管
肖特基二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD），国内厂家也有叫做"SB1045CT、SR10100、SL…、BL…
Schottky Barrier Diode:肖特基势垒二极管，简称：SB,比如：SB107,SB1045CT……
Schottky Barrier Diode:也有简写为：SBD来命名产品型号前缀的。但SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。
因此，SBD也称为金属-半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
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