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硅片回收之单晶硅的制备方法

单晶硅是硅的单晶体,是一种良好的半导体材料,用于制造半导体器件、太阳能电池等。近年来,随着硅片回收行业的兴起,单晶硅回收也成了硅回收的一个重要组成部分。单晶硅在使用的过程中,纯度要求达到99.9999%,甚至达到99.9999999%以上,所以制备起来是非常不容易的。下面将由硅片回收厂家-上海啸飞新能源科技有限公司为大家介绍单晶硅的制备方法。
单晶硅的制备方法:按拉制方法不同分为无坩埚区熔FZ法与有坩埚直拉CZ法。区熔拉制的单晶不受坩埚污染,纯度较高,适于生产电阻率高于20Ω/cm的N型硅单晶包括中子嬗变掺杂单晶和高阻P型硅单晶。由于含氧量低,区熔单晶机械强度较差。大量区熔单晶用于制造高压整流器、晶体闸流管、高压晶体管等器件。直接法易于获得大直径单晶,但纯度区熔单晶,适于生产20Ω/cm以下的硅单晶。由于含氧量高,直拉单晶机械强度较好。大量直拉单晶用于制造MOS集成电路、大功率晶体管等器件。外延片衬底单晶也用直拉法生产。硅单晶商品多制成抛光片,但对FZ单晶片与CZ单晶片须加以区别。外延片是在硅单晶片衬底或尖晶石、蓝宝石等绝缘衬底上外延生长硅单晶薄层而制成,大量用于制造双极型集成电路、高频晶体管、小功率晶体管等器件。


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