半导体硅片抛光电化学与抛光速率研究
集成电路IC是推动国民经济和社会信息化发展主要的高新技术，也是改造和提升传统产业的核心技术。IC所用的半导体材料主要是硅和锗、砷化镓等，90％以上IC都采用硅片。高质量的硅晶片是芯片制造和IC发展的基础。制造IC的硅片不仅要求极高的平面度，极小的表面粗糙度，而且要求表面无变质层、无划伤。化学机械抛光CMP是制备表面无损伤硅片的工序，成为半导体制造技术中硅片加工的至关重要的一步。CMP过程实际上是磨粒磨损下的电化学过程，因此用电化学方法研究CMP具有十分重要的意义。本文运用电化学实验方法，以溶液化学、腐蚀电化学原理、摩擦磨损原理、流体力学边界层等相关理论为指导，采用旋转圆盘电极，系统研究和探讨了n100、n111、p100、p111半导体硅片在纳米SiO_2抛光浆料中的成膜行为、CMP中的电化学行为、抛光速率及CMP过程机理等
