现在应用于晶体材料的主流切割技术一游离磨料线切割起始于20世纪90年代，事实上，游离磨料线切割对硅片的切割过程是一个三体磨料磨损过程，在机理上来说属于研磨加工范畴：磨粒悬浮于磨削液中，在高速运动的切割线带动下进入加工区域，在切割线的压力和磨削液的剪切力作用下通过滚动一嵌入rolling and identation件表面来实现材料的去除。在此过程中，切割线只起到带动磨粒的作用，并不参与加工。材料的去除率与切割液参数、走丝速度、工件进给速度等因素有关，而这些因素又影响切割线的振动和张紧力、切割液的流体动压效应等，并进一步影响到加工表面的残余应力、表面粗糙度及硅片的翘曲变形等。和内圆切割相比，线切割技术具有切割、材料损耗小、硅片质量高、方便后续加工等优点，在大规模硅片生产中已逐渐取代内圆切割技术，而由于其发展历史短，对线切割过程中材料的去除机理和工艺规律的研究还不全面。
瑞士光伏和薄膜电子实验室EPEL通过采用不同的磨粒进行游离磨料线切割实验，结果表明磨粒粒径小的加工出的表面比磨粒粒径大的要光滑，微裂纹深度要比磨粒粒径大的浅，表面粗糙度要比磨粒粒径大的好，微裂纹深度呈指数分布。细磨料切割出的表面微裂纹深度不是小的，但其微裂纹密度是小的，但磨粒切割出的表面微裂纹深度和表面粗糙度都是的。表面粗糙度Ra随磨粒的增大而增大。细磨粒切割出的硅片明显断裂强度由于粗磨粒。浆料浓度要选择合适，过高或过低都会使硅片的表面质量下降。
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