H4膜料的特性
成分 钛镧混合物
外观 1-4mm的黑色颗料
密度 5.9g/cm3
熔化温度 1800℃
沉积温度 2200～2300℃
沉积源 电子束
坩埚 铜或钼
氧气压力 0.8-2×10-4
沉积速率 0.2-0.8nm/秒
基片温度 大约30-300℃
H4膜层特性
基片温度 大约30℃ 300℃
50nm的折射率 1.99 2.12
400nm折射 ＜2×10-4
吸收边缘 300nm
吸收边缘是指在膜厚为270nm的膜层上,透光率为80%的波长。
折射率的散布
基片温度 散布公式
大约30℃ n1.887+25410/波长2
100℃ n1.982+29820/波长2
300℃ n2.009+28880/波长2
