二极管
功率晶体管包括三极管和二极管，其典型的封装形式是THM（Through-HoleMount，引脚插入式）插脚型封装，即使是在SMD（SurfacdMountingDevice，表面贴装元件）大行其道的今天也是如此，因为实践证明这种形式的封装既可靠又利于独立散热片的安装和固定。晶体管THM封装以TO（TransistorOutline，晶体管封装）为主要形式，而SM
tvs二极管供应商
二极管
功率晶体管包括三极管和二极管，其典型的封装形式是THM（Through-HoleMount，引脚插入式）插脚型封装，即使是在SMD（SurfacdMountingDevice，表面贴装元件）大行其道的今天也是如此，因为实践证明这种形式的封装既可靠又利于独立散热片的安装和固定。晶体管THM封装以TO（TransistorOutline，晶体管封装）为主要形式，而SMD形式的，以有引脚的为主要形式，IR（InternationalRectifier，国际整流器）开发的DirectFET封装则是其中的特例，属于无引脚而只有焊接端子的形式，这种形式在小功率SMD器件中的应用为广泛。在电路中具有耦合、滤波、退耦、谐振、旁路、中和、微分、积分等多种作用，同电阻一样，是一种电路中随处可见的电子元器件。
TVS管与ESD保护二极管的区别 TVS瞬态电压抑制
这里不论TV是如何产生的,比如直接或者间接的雷击,静电放电,大容量的负载投切等因素导致的浪涌.电压从几伏到几十千伏甚至更高. ESD静电放电保护
这里的ES主要是三种模型所表述.
其中主要应用是HBM 和 MM,简单说,就是人或者设备对器件放电(静电),但是器件不能损坏. 典型的HBM CLASS 1C模型规定 一个充电1000V-2000V的100pF的电容通过一个1500欧姆的电阻对器件放电.
MM模型要比人体模型能量大一些.电容是200pF,电压大概在200-400之间,不过没有串联电阻了.
典型的人体模型放电,峰值电流小于0.75A,时间150ns 典型的机器模型放电,峰值电流小于8A,时间5ns
TVS 的主要参数及选用
2.1 击穿电压VBR
击穿电压VBR 等于1 mA 的测试电流通过TVS时，TVS 两极的电压值。VBR 根据其与标准值的离散程度分为两种：VBR（5%）与VBR（10%）。
2.2 额定反向工作电压VWM
TVS反向工作时，在规定的IR条件下，TVS两极的电压值称为额定反向工作电压VWM.一般情况，VWM=（0.8~0.9）VBR,离散度为5%的TVS,VWM=0.85VBR（5%）；广泛应用在半导体及敏感的电子零件过电压、ESD保护上，主要包括：消费类产品、工业产品、通讯、电脑、汽车、电源供应器、信号线路保护及军事、航天航空导航系统及控制系统上。离散度为10%的TVS,VWM=0.81VBR（10%）。VWM值的选择要适中，VWM值既要大于等于US（大持续工作电压），又要与US值相接近，选择太大或太小都不能安全可靠保护电路。
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