本公司的前身是上海明达电器技术研究所。创建于1996年，于2004年4月改名为上海明达微电子有限公司，已有十多年历史。员工中百分之七十以上具有技术职称，是认定的集成电路设计企业。
作为电气系统中的基本部件，工程师如何根据参数做出正确选择呢？不过，如果系统对开关性能要求比较高，可以选择栅极电荷QG比较小的功率MOSFET。
1）沟道的选择。为设计选择正确器件的一步是决定采用N沟道还是P
可替换TPS709xx
本公司的前身是上海明达电器技术研究所。创建于1996年，于2004年4月改名为上海明达微电子有限公司，已有十多年历史。员工中百分之七十以上具有技术职称，是认定的集成电路设计企业。
作为电气系统中的基本部件，工程师如何根据参数做出正确选择呢？不过，如果系统对开关性能要求比较高，可以选择栅极电荷QG比较小的功率MOSFET。
1）沟道的选择。为设计选择正确器件的一步是决定采用N沟道还是P沟道场效应管。在典型的功率应用中，当一个场效应管接地，而负载连接到干线电压上时，该场效应管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道场效应管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当场效应管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。公司自主研发销售的产品也达到了一定规模，2006年由上海市科委认定为上海市高新技术企业。通常会在这个拓扑中采用P沟道场效应管，这也是出于对电压驱动的考虑。
上海明达微电子有限公司所供的全部产品的特点是：抗干扰能力强，抗静电能力强，电参数性能稳定，上机率高，工作失效率低。公司将不断打造自己的，拓宽销售市场，让客户用得满意，用的放心。
LDO的起因：
1799年，伏特将一块锌板和一块银板浸泡在盐水里，发现连接两块金属的导线中有电流通过。而后，他通过多次实验终于制作出了电池--“伏特电堆”。自此，电池家族开始壮大。湿电池、干电池、铁镍电池、到现在普遍使用的锂电池、薄膜电池。P沟道MOSFET是电压驱动的，不需要电流，所以大大降低了器件本身消。随着电池的种类逐渐增加，辅助器件也越来越多……
稳压器就是其中之一。
超低功耗LDO稳压器的设计是为满足各种电池供电场合下的超低静态功耗要求，尤其是在有4节干电池的长待机供电场合（7.2V），比如时钟，传感器维续等。同时，超低功耗LDO稳压器对输入输出电容要求很低，1μF陶瓷电容即可。
（作者： 来源：）
