SiC陶瓷的生产工艺
碳化硅粉体的制备技术就其原始原料状态分为固相合成法和液相合成法。
固 相 合 成 法
固相法主要有碳热还原法和硅碳直接反应法。碳热还原法又包括阿奇逊法、竖式炉法和高温转炉法。阿奇逊法首先由Acheson发明,是在Acheson电炉中,石英砂中的二氧化硅被碳所还原制得SiC,实质是高温强电场作用下的电化学反应,己有上百年大规模工业化生产的历史,这种
陶瓷件精加工
SiC陶瓷的生产工艺
碳化硅粉体的制备技术就其原始原料状态分为固相合成法和液相合成法。
固 相 合 成 法
固相法主要有碳热还原法和硅碳直接反应法。碳热还原法又包括阿奇逊法、竖式炉法和高温转炉法。阿奇逊法首先由Acheson发明,是在Acheson电炉中,石英砂中的二氧化硅被碳所还原制得SiC,实质是高温强电场作用下的电化学反应,己有上百年大规模工业化生产的历史,这种工艺得到的SiC颗粒较粗。此外,该工艺耗电量大,其中用于生产,为热损失。
20世纪70年代发展起来的法对古典Acheson法进行了改进,80年代出现了竖式炉、高温转炉等合成β一SiC粉的新设备,90年代此法得到了进一步的发展。Ohsakis等利用SiO2与Si粉的混合粉末受热释放出的SiO气体,与活性炭反应制得日一,随着温度的提高及保温时间的延长,放出的SiO气体,粉末的比表面积随之降低。
硅、碳直接反应法是对自蔓延高温合成法的应用,是以外加热源点燃反应物坯体,利用材料在合成过程中放出的化学反应热来自行维持合成过程。除引燃外无需外部热源,具有耗能少、设备工艺简单、生产率高的优点,其缺点是目发反应难以控制。此外硅、碳之间的反应是一个弱放热反应,在室温下反应难以点燃和维持下去,为此常采用化学炉、将电流直接通过反应体、对反应体进行预热、辅加电场等方法补充能量。
陶瓷燃烧喷嘴熔接治具用耐热陶瓷氮化硅陶瓷加工件
氮化硅陶瓷加工
氮化硅陶瓷 Si3N4
与氧化铝相比，其高温强度、耐热冲击性更佳，作为耐热符合构造材料的广泛应用。
主要用途：半导体制造装置用部品；燃烧喷嘴；熔接治具等。
氮化硅陶瓷气相成形
利用气相反应生成纳米颗粒,如能使颗粒有效而且致密地沉积到模具表面,累积到一定厚度即成为制品,或者先使用其它方法制成一个具有开口气孔的坯体,再通过气相沉积工艺将气孔填充致密,用这种方法可以制造各种复合材料。由于固相颗粒的生成与成形过程同时进行,因此可以避免一般超细粉料中的团聚问题。在成形过程中不存在排除液相的问题,从而避免了湿法工艺带来的种种弊端。
三氧化二铝陶瓷加工
三氧化二铝陶瓷 AL2O3
氧化铝的主要成分，有较好的绝缘性盒性能，价格便宜。作为精密陶瓷材料的代表，使用较为广泛。高纯度的氧化铝（纯度99%以上）适用于制作半导体制造设备部品。
主要用途：半导体制造装置腔体内部品；液晶制造装置用品；真空装置用品；搬送部品；一般产业机械用部品。
一．防脱落设计
1．陶瓷片
陶瓷片的结构型式为“三面呈压、三面反压、正反弧度，瓷片与瓷片之间相互镶嵌衔接，具备整体和局部防脱性能。
2．媒体层。
瓷片和钢体之间采用耐高温、高强度、低膨胀系数的无
机胶合成剂作为钢体和陶瓷片之间的结合媒体层，长期运行在高温干粉管道中仍然
能够保持良好的粘结性能，不发生分层现象。
3．焊接固定工艺。
工艺一：直接用耐热钢碗将具备含扣锥形孔的陶瓷片直接焊接在钢体上，
然后用带扣陶瓷堵涂胶后封装在陶瓷片的锥形孔上，整体外观全部为陶瓷面。
工艺二：采用储能焊接工艺将带锥形孔的陶瓷片通过螺栓焊接在钢体上面。
二．结构形式
 企业名片
|
苏州陶迈森科学仪器有限公司
陶沙(False) / |
|
联系地址：中国· 江苏省· 苏州市·苏州工业园区（吴中区）星湖街1211号仁恒PARKA座5F（邮编:215000） 联系电话：0512-62951808 手机：13862625813
联系传真：0512-62951808
电子邮箱：taomsun@126.com 联系QQ：2851261691
|
