上海明达微电子有限公司所供的全部产品的特点是：抗干扰能力强，抗静电能力强，电参数性能稳定，上机率高，工作失效率低。公司将不断打造自己的，拓宽销售市场，让客户用得满意，用的放心。
同步整流是采用通态电阻极低的功率MOSFET，来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。它能大大提高DCDC变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压。
同步整流的
纹波小LDO
上海明达微电子有限公司所供的全部产品的特点是：抗干扰能力强，抗静电能力强，电参数性能稳定，上机率高，工作失效率低。公司将不断打造自己的，拓宽销售市场，让客户用得满意，用的放心。
同步整流是采用通态电阻极低的功率MOSFET，来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。它能大大提高DCDC变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压。
同步整流的基本电路结构：
功率MOSFET属于电压控制型器件，它在导通时的伏安特性呈线性关系。用功率MOSFET做整流器时，要求电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能，故称之为同步整流。
同步整流技术
开关电源的损耗主要由3部分组成：功率开关管的损耗，高频变压器的损耗，输出端整流管的损耗。在低电压、大电流输出的情况下，整流二极管的导通压降较高，输出端整流管的损耗尤为突出。快恢复二极管（FRD）或超快恢复二极管（SRD）可达1.0～1.2V，即使采用低压降的肖特基二极管（SBD），也会产生大约0.6V的压降，这就导致整流损耗增大，电源效率降低。
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