溅射镀膜技术
溅射镀膜溅射镀膜就是在真空中利用荷能粒子轰击靶表面，使被轰击出的粒子沉积在基片上的技术。通常，利用低压惰性气体辉光放电来产生入射离子。Ar离子被阴极加速并轰击阴极靶表面，将靶材表面原子溅射出来沉积在基底表面上形成薄膜。阴极靶由镀膜材料制成，基片作为阳极，真空室中通入0.1-10Pa的Ar或其它惰性气体，在阴极（靶）1-3KV直流负高压或13.56MHz的
磁控溅射台
溅射镀膜技术
溅射镀膜溅射镀膜就是在真空中利用荷能粒子轰击靶表面，使被轰击出的粒子沉积在基片上的技术。通常，利用低压惰性气体辉光放电来产生入射离子。Ar离子被阴极加速并轰击阴极靶表面，将靶材表面原子溅射出来沉积在基底表面上形成薄膜。阴极靶由镀膜材料制成，基片作为阳极，真空室中通入0.1-10Pa的Ar或其它惰性气体，在阴极（靶）1-3KV直流负高压或13.56MHz的射频电压作用下产生辉光放电。电离出的离子轰击靶表面，使得靶原子溅出并沉积在基片上，形成薄膜。溅射方法很多，主要有二级溅射、三级或四级溅射、磁控溅射、对靶溅射、射频溅射、偏压溅射、非对称交流射频溅射、离子束溅射以及反应溅射等。
由于被溅射原子是与具有数十电子伏特能量的正离子交换动能后飞溅出来的，因而溅射出来的原子能量高，有利于提高沉积时原子的扩散能力，提高沉积组织的致密程度，使制出的薄膜与基片具有强的附着力。溅射时，气体被电离之后，气体离子在电场作用下飞向接阴极的靶材，电子则飞向接地的壁腔和基片。不管平衡非平衡，若磁铁静止，其磁场特性决定一般靶材利用率小于30%。这样在低电压和低气压下，产生的离子数目少，靶材溅射效率低；而在高电压和高气压下，尽管可以产生较多的离子，但飞向基片的电子携带的能量高，容易使基片发热甚至发生二次溅射，影响制膜质量。另外，靶材原子在飞向基片的过程中与气体分子的碰撞几率也大为增加，因而被散射到整个腔体，既会造成靶材浪费，又会在制备多层膜时造成各层的污染。
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磁控溅射镀膜仪应用广泛
目前我国磁控溅射镀膜仪市场销售非常火热，这是一项热门的新技术，它带给企业和厂家的不仅仅是技术，还能够节省大量的人工运作成本，因此深受广大用户的青睐。
磁控溅射镀膜设备可制备多种薄膜，不同功能的薄膜，还可沉积组分混合的混合物、化合物薄膜；当金属靶材撞向零件时由于能量转化，与反应气体化合生成氮化物或氧化物。磁控溅射等离子体阻抗低，从而导致了高放电电流，在约５００Ｖ的电压下放电电流可从１Ａ 到１００Ａ（取决于阴极的长度）；成膜速率高，沉积速率变化范围可从１ｎｍ／ｓ到１０ｎｍ／ｓ；成膜的一致性好，甚至是在数米长的阴极溅射的情况下，仍能保证膜层的一致性；基板温升低；溅射出来的粒子能量约为几十电子伏特，成膜较为致密，且膜基结合较好。
磁控溅射镀膜设备得以广泛的应用是因为该技术的特点所决定的，其特点可归纳为：可制备成靶材的各种材料均可作为薄膜材料，包括各种金属、半导体、铁磁材料，以及绝缘的氧化物、陶瓷、聚合物等物质。
另外磁控溅射调节参数则可调谐薄膜性能，尤其适合镀膜，沉积面积大膜层比较均匀。
近年来，磁控溅射镀膜设备在我国愈发的流行，从侧面反映出了我国工业发展十分迅速，今后设备取代人工的可能性是非常巨大的。
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磁控溅射
（1）各种功能性薄膜：如具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用的薄膜。例如，低温沉积氮化硅减反射膜，以提高太阳能电池的光电转换效率。
（2）装饰领域的应用，如各种全反射膜及半透明膜等，如手机外壳，鼠标等。
（3） 在微电子领域作为一种非热式镀膜技术，主要应用在化学气相沉积（CVD）或金属有机
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