为了研究、解决以上这些问题，后来发展起来了一门学科 EMC。若想更深入了解，读 者可以去研读一下郑军奇的《EMC 电磁兼容设计与测试案例分析》，有些例子相当经典。这 里顺便为读者扩展几个概念，希望读者能够了解。
（1）去耦。当器件高速开关时，把射频能量从高频器件的电源端泄放到电源分配网络。 去耦电容也为器件和元件提供一个局部的直流源，这对减小电流在板上传播浪涌尖峰很有 作
PFN-C电容器直销
为了研究、解决以上这些问题，后来发展起来了一门学科 EMC。若想更深入了解，读 者可以去研读一下郑军奇的《EMC 电磁兼容设计与测试案例分析》，有些例子相当经典。这 里顺便为读者扩展几个概念，希望读者能够了解。
（1）去耦。当器件高速开关时，把射频能量从高频器件的电源端泄放到电源分配网络。 去耦电容也为器件和元件提供一个局部的直流源，这对减小电流在板上传播浪涌尖峰很有 作用。
（2）旁路。把不必要的共模 RF 能量从元件或线缆中泄放掉。它的实质是产生一个交 流支路来把不需要的能量从易受影响的区域泄放掉。另外，它还提供滤波功能（带宽限制）， 有时笼统地称为滤波。
（3）储能。当所用的信号脚在1大容量负载下同时开关时，用来保持提供给器件恒定 的直流电压和电流。它还能阻止由于元件 di/dt 电流浪涌而引起的电源跌落。如果说去耦是 高频的范畴，那么储能可以理解为是低频范畴。
电容器是隔直流的，为什么电池（直流）可以为电容器充电？
在电路分析里，电路的响应有两种，一种是零输入响应，一种是零状态响应。
所谓零输入响应，指的是输入信号为零；所谓零状态响应，指的是电路中所有储能元件和各种电源的状态均为零。
在分析零状态响应时，要把电压源短路，电流源开路。
对于电容来说，在零状态响应的通电瞬间，它可以认为是电压为零的电压源，所以它相当于短路。
我们来看下图：上一张图是电路结构，我们看到电源E和它的内阻r，开关QF，还有电容C和电阻R。
2.13 多个电容的串联和并联计算公式: C串:1/C=1/C1+1/C2+1/C3+.....+1/CN C并C=C1+C2+C3++CN ~6
2.14 电容器的好坏测量
a;脱离线路时检测 采用万用表Ｒ×１ｋ挡，在检测前，先将电解电容的两根引脚相碰，以便放掉电容内残余的电荷.当表笔刚接通时，表针向右偏转一个角度，然后表针缓慢地向左回转，表针停下。损耗率电容器的损耗率是电容器一周期内转化成热能的能量与它的平均储能的比率，通常用百分数表示。表针停下来所指示的阻值为该电容的漏电电阻，此阻值愈大愈好，1好应接近无穷大处。如果漏电电阻只有几十千欧，说明这一电解电容漏电严重。表针向右摆动的角度越大（表针还应该向左回摆），说明这一电解电容的电容量也越大，反之说明容量越小。
b.线路上直接检测 主要是检测电容器是否已开路或已击穿这两种明显故障，而对漏电故障由于受外电路的影响一般是测不准的。过多的毛刺电压，峰值电压过高，电流不稳定等都使电容过于充放电过于频繁，长时间处于这类工作环境下的电容，内部温度升高很快。用万用表Ｒ×１挡，电路断开后，先放掉残存在电容器内的电荷。测量时若表针向右偏转，说明电解电容内部断路。如果表针向右偏转后所指示的阻值很小（接近短路），说明电容器严重漏电或已击穿。如果表针向右偏后无回转，但所指示的阻值不很小，说明电容器开路的可能很大，应脱开电路后进一步检测。
c．线路上通电状态时检测,若怀疑电解电容只在通电状态下才存在击穿故障，可以给电路通电，然后用万用表直流挡测量该电容器两端的直流电压，如果电压很低或为０Ｖ，则是该电容器已击穿。电源（电池）是负载着电位差的装置电源是在两端连接负载着E[V]电位差的装置。 对于电解电容的正、负极标志不清楚的，必须先判别出它的正、负极。对换万用表笔测两次，以漏电大（电阻值小）的一次为准，黑表笔所接一脚为负极，另一脚为正极。
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