MBE400 分子束外延系统
MBE400 分子束外延系统是一款通用型MBE系统，非常适合于III/V族， II/VI族，及其他复合半导体材料应用。兼容2-4英寸标准晶片。竖直分割式腔体设计，可以装配各种源炉，实现不同材料分子束外延生长。
该系统主要有蒸发沉积室、进样室、束源炉、样品磁力传递机构、样品库装置、样品加热机构、泵抽系统、真空测量系统、气路系统、电控系统等
分子束外延报价
MBE400 分子束外延系统
MBE400 分子束外延系统是一款通用型MBE系统，非常适合于III/V族， II/VI族，及其他复合半导体材料应用。兼容2-4英寸标准晶片。竖直分割式腔体设计，可以装配各种源炉，实现不同材料分子束外延生长。
该系统主要有蒸发沉积室、进样室、束源炉、样品磁力传递机构、样品库装置、样品加热机构、泵抽系统、真空测量系统、气路系统、电控系统等组成。样品从进样室通过磁力传递机构，把样品送到蒸发沉积室，进行蒸发沉积等镀膜实验。
以上就是关于MBE产品的相关内容介绍，如有需求，欢迎拨打图片上的热线电话或关注沈阳鹏程真空技术有限责任公司！
MBE分子束外延技术的重要性
以下内容由沈阳鹏程真空技术有限责任公司为您提供，希望对同行业的朋友有所帮助。
分子束外延技术的发展，推动了以GaAs为主的III-V族半导体及其它多元多层异质材料的生长，大大地促进了新型微电子技术领域的发展，造就了GaAs IC、GeSi异质晶体管及其集成电路以及各种超晶格新型器件。特别是GaAs IC（以MESFET、HEMT、HBT以及以这些器件为主设计和制作的集成电路）和红外及其它光电器件，在军事应用中有着极其重要的意义。GaAs MIMIC（微波毫米波单片电路）和GaAs VHSIC（超高速集成电路）将在新型相控阵雷达、阵列化电子战设备、灵巧和超高速信号处理、计算机等方面起着重要的作用。
（作者： 来源：）
