正负光刻胶
正负光刻胶
光刻胶分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。正胶的图像与掩模板的图像是一致的，故此叫正胶，利用这种性能，将光刻胶作涂层，就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。
一般来说线宽的用正胶,线窄的用负胶! 正性光刻胶比负性的精度要高，负胶显影后图形有涨缩，负性
干膜光刻胶生产厂家
正负光刻胶
正负光刻胶
光刻胶分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。正胶的图像与掩模板的图像是一致的，故此叫正胶，利用这种性能，将光刻胶作涂层，就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。
一般来说线宽的用正胶,线窄的用负胶!正性光刻胶比负性的精度要高，负胶显影后图形有涨缩，负性胶限制在2~3μm.，而正性胶的分辨力优于0.5μm导致影响精度，正性胶则无这方面的影响。虽然使用更薄的胶层厚度可以改善负性胶的分辨率，但是薄负性胶会影响孔。同种厚度的正负胶，在对于抗湿法和腐蚀性方面负胶更胜一筹，正胶难以企及。影响显影的效果主要因素：1，曝光时间，2前烘温度和时间，3光刻胶膜厚，4显影液浓度温度，5显影液的搅动情况。赛米莱德提供美国Futurrex的光刻胶的供应与技术参数。
PR1-1500A1干膜光刻胶生产厂家
6，坚膜
坚膜也叫后烘，是为了去除由于显影液的浸泡引起胶膜软化、溶胀现象，能使胶膜附着能力增强，康腐蚀能力提高。
坚膜温度通常情况高于前烘和曝光后烘烤的温度 100-140度 10-30min
7，显影检验
光刻胶钻蚀、图像尺寸变化、套刻对准不良、光刻胶膜损伤、线条是否齐、陡
小孔、小岛。
-->
