半导体元件除了本身功能要良好之外，其各项参数能否达到电路上的要求，必须定期测量，否则产品的质量特性很难保证，尤其是较大的功率元件，因具有耗损性，易老化及效率降低，因不平衡导致烧毁，甚至在使用中会发生。所以对新产品及使用中的元件参数的筛选及检查更为重要。
半导体元件的每一个参数，依其极性的不同，都须要一个的测量电路，我公司所设计生产的半导体元件自动测试系统，具有一组继电器形成的矩阵电路，依每个
大功率IGBT测试仪批发
半导体元件除了本身功能要良好之外，其各项参数能否达到电路上的要求，必须定期测量，否则产品的质量特性很难保证，尤其是较大的功率元件，因具有耗损性，易老化及效率降低，因不平衡导致烧毁，甚至在使用中会发生。所以对新产品及使用中的元件参数的筛选及检查更为重要。
半导体元件的每一个参数，依其极性的不同，都须要一个的测量电路，我公司所设计生产的半导体元件自动测试系统，具有一组继电器形成的矩阵电路，依每个参数的定义，形成千变万化的电路，再依元件的出厂规格加上额定的电流或电压后，在极短的时间内将所须要的数据量测出来，且有些参数从量测的数据经运算即可得知其特性是否在规定范围内。
目的和用途
该设备用于功率半导体模块（IGBT、FRD、肖特基二极管等）的动态参数测试，以表征器件的动态特性，通过测试夹具的连接，实现模块的动态参数测试。
1.2 测试对象
IGBT、FRD、肖特基二极管等功率半导体模块
2.测试参数及指标
2.1开关时间测试单元技术条件
开通时间测试参数：
1、开通时间ton：5～2000ns±3%±3ns
2、开通延迟时间td(on)：5～2000ns±3%±3ns
3、上升时间tr：5～2000ns±3%±3ns
4、开通能量： 0.2～1mJ±5%±0.01mJ
1～50mJ±5%±0.1mJ
50～100mJ±5%±1mJ
100～500mJ±5%±2mJ
5、开通电流上升率di/dt测量范围：200-10000A/uS
6、开通峰值功率Pon：10W～250kW
3）IGBT饱和压降/FRD正向导通压降测试电路
通态压降测试电路
高压充电电源：10~1500V连续可调
支撑电容：额定电压2kV
饱和通态压降电压探头精度要求：0.1～10V±3%±0.01V
栅极电压输出要求：5～25V±1%±0.01V
集电极电流测试设备精度： 200～500A±3%±1A；500～1000A±2%±2A
测试脉冲宽度：0.1~1ms可设定
4）栅极漏电流测试电路
栅极漏电流测试电路
可调电源：±1Ｖ～±40V±2%±0.1V；
小电流测量设备精度：0.01～10μA±2%±0.005μA
栅极电压Vge：±1Ｖ～40V±1%±0.1V；
脉冲时间：40~100ms可设定
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