国内外已广泛生产并用在大功率微波管、大功率激光二极管和一些大功率集成电路模块上。由于Cu-Mo和Cu-W之间不相溶或浸润性极差，况且二者的熔点相差很大，给材料制备带来了一些问题；如果制备的Cu／W及Cu／Mo致密程度不高，则气密性得不到保证，影响封装性能。另一个缺点是由于W的百分含量高而导致Cu／W密度太大，增加了封装重量。金属外壳制作工艺大致可以分为3种、一种是全C
定制金属管壳
国内外已广泛生产并用在大功率微波管、大功率激光二极管和一些大功率集成电路模块上。由于Cu-Mo和Cu-W之间不相溶或浸润性极差，况且二者的熔点相差很大，给材料制备带来了一些问题；如果制备的Cu／W及Cu／Mo致密程度不高，则气密性得不到保证，影响封装性能。另一个缺点是由于W的百分含量高而导致Cu／W密度太大，增加了封装重量。金属外壳制作工艺大致可以分为3种、一种是全CNC加工，一种是压铸，还有就是将CNC与压铸结合使用。CNC加工工艺：全CNC加工顾名思义就是从一块铝合金板材（或者其他金属材料板材）开始，利用精密CNC加工机床直接加工成需要的手机后盖形状，包括内框中的各种台阶、凹槽、螺丝孔等结构；+金属封装外壳CNC加工开始前，首先需要建模与编程。3D建模的难度由产品结构决定，结构复杂的产品建模较难，需要编程的工序也更多、更复杂。
密度大也使Cu／W具有对空间辐射总剂量(TID)环境的优良屏蔽作用，因为要获得同样的屏蔽作用，使用的铝厚度需要是Cu／W的16倍。新型的金属封装材料及其应用除了Cu／W及Cu／Mo以外，传统金属封装材料都是单一金属或合金，它们都有某些不足，难以应对现代封装的发展。可伐可伐合金(Fe-29Ni-17Co，牌号4J29)的CTE与Si、GaAs以及Al2O3、BeO、AIN的CTE较为接近，具有良好的焊接性、加工性，能与硼硅硬玻璃匹配封接，在低功率密度的金属封装中得到广泛的使用。但由于其热导率低，电阻率高，密度也较大，使其广泛应用受到了很大限制。金属基复合材料金属封装是采用金属作为壳体或底座，芯片直接或通过基板安装在外壳或底座上，引线穿过金属壳体或底座大多采用玻璃—金属封接技术的一种电子封装形式。它广泛用于混合电路的封装，主要是和定制的气密封装，在许多领域，尤其是在军事及航空航天领域得到了广泛的应用。
与传统式金属封装材料对比，他们关键有下列优势：①能够根据改变提高体的类型、体积分数、排序方法或改变常规铝合金，改变材料的热工艺性能，考虑封装热失配的规定，乃至简单化封装的设计方案;②材料生产制造灵便，价钱持续减少，非常是可立即成型，防止了价格昂贵的生产加工花费和生产加工导致的材料耗损；尽管设计师能够选用相近铜的方法处理这个问题，但铜、铝与集成ic、基钢板比较严重的热失配，给封装的热设计产生挺大艰难，危害了他们的普遍应用。1．2
钨、钼Mo的CTE为5．35×10-6K-1，与可伐和Al2O3十分配对，它的导热系数非常高，为138
W(m-K-1)，所以做为气密性封装的基座与可伐的腋角电焊焊接在一起，用在许多中、高功率的金属封装中 Cu／W和Cu／Mo以便减少Cu的CTE，能够将铜与CTE标值较小的化学物质如Mo、W等复合型，获得Cu／W及Cu／Mo金属材料-金属材料复合型材料。这种材料具备高的导电性、传热性能，另外结合W、Mo的低CTE、高韧性特点。Cu／W及Cu／Mo的CTE能够依据组元相对性成分的转变开展调节，能够用作封装基座、热沉，还能够用作散热器。
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